2010 Fiscal Year Annual Research Report
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21340076
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| Research Institution | University of Tsukuba |
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Principal Investigator |
野村 晋太郎 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 准教授 (90271527)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
赤崎 達志 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主幹研究員 (10393779)
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| Keywords | 半導体ナノ構造 / 近接場光学顕微鏡 / 光照射効果 |
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| Research Abstract |
1、局所光励起正孔状態制御手法の確立
電子線露光法により量子ドットと量子ポイントコンタクトが結合した試料の作製を行った。作製された半導体ナノ構造試料の光照射下での量子輸送特性の評価を希釈冷凍機中で行い、光照射効果の評価を行った。量子ポイントコンタクトの特性の光照射効果を明らかにした。
2、半導体ナノ構造試料の局所光照射効果
近接場光学顕微鏡を用いた局所的光励起と輸送測定の組み合わせは二次元電子系の端状態の空間分布を調べるのに有用な手段である。これまでに二次元電子の端における光起電圧やポテンシャル勾配の空間分布が観測してきた。端状態の観測のためには、高い空間分解能が必要であると同時に適切な励起波長を選択することが必要である。励起波長は、キャリアが生成するのに十分なエネルギーを持ち、かつ光励起後のキャリア温度がランダウ準位間のエネルギー差よりも十分に小さくなるという条件を満たす必要がある。本年度は、局所光励起法を用いて電子・正孔を半導体ナノ構造に注入する機構の解明を行った。希釈冷凍機温度、強磁場中において、光近接場を二次元電子系の端近傍に走査して照射することにより得られる光電流・光起電力の空間イメージの波長依存性を明らかにした。得られた空間イメージは、励起子吸収ピークより低エネルギー側と高エネルギー側とでは異なる分布であることを示した。剰余エネルギーが小さい場合は端近傍の狭い範囲に光起電圧が発生し、剰余エネルギーが大きい場合はバルク状態を含むホールバーの内側へ光起電圧の発生する範囲が広がることがわかった。
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