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2011 Fiscal Year Final Research Report

Single Photon Generation from locally doped semiconductors

Research Project

  • PDF
Project/Area Number 21360004
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Research Field Applied materials science/Crystal engineering
Research InstitutionSaitama University

Principal Investigator

YAGUCHI Hiroyuki  埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50239737)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) HIJIKATA Yasuto  埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (70322021)
ONABE Kentaro  東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)
KATAYAMA Ryuji  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
YAGI Shuhei  埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (30421415)
KUBOYA Shigeyuki  東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (70583615)
Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) AKIYAMA Hidefumi  東京大学, 物性研究所, 准教授 (40251491)
Project Period (FY) 2009 – 2011
Keywords半導体物性 / 光物性 / 応用光学・量子光工学MBE / エピタキシャル / 単一光子
Research Abstract

We have fabricated locally doped semiconductors using atomic layer doping to realize the generation of unpolarized single photons with highly reproducible wavelengths, which is essential in the field of quantum information technology, such as quantum cryptography. We have obtained unpolarized single photons by selecting a proper face of the substrate to grow nitrogen atomic layer doped semiconductors. In addition, we have successfully observed biexcition emission from nitrogen atomic layer doped semiconductors, which leads to the generation of entangled photon pairs.

  • Research Products

    (18 results)

All 2012 2011 2010 2009 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (14 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012

    • Author(s)
      K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
    • Journal Title

      Materials Science Forum

      Volume: Vol.706-709 Pages: 2916-2921

    • DOI

      DOI:10.4028/www.scientific.net/M SF.706-7-9.2916

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors2011

    • Author(s)
      H. Yaguchi
    • Journal Title

      SPIE

      Volume: Vol.7945

    • DOI

      DOI:10.1117/12.865770

  • [Journal Article] Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010

    • Author(s)
      T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • Journal Title

      Physica

      Volume: Vol.42, No10

    • DOI

      DOI:10.1016/j.physe.2009.12.011

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012

    • Author(s)
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学(東京)
    • Year and Date
      2012-03-17
  • [Presentation] 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2012

    • Author(s)
      新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学(東京)
    • Year and Date
      2012-03-17
  • [Presentation] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011

    • Author(s)
      K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
    • Organizer
      The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • Place of Presentation
      International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
    • Year and Date
      2011-09-12
  • [Presentation] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011

    • Author(s)
      高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学(山形県)
    • Year and Date
      2011-08-30
  • [Presentation] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011

    • Author(s)
      K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
    • Organizer
      The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • Place of Presentation
      Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
    • Year and Date
      2011-08-03
  • [Presentation] Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors2011

    • Author(s)
      H. Yaguchi
    • Organizer
      SPIE Photonics West OPTO
    • Place of Presentation
      Moscone Center (San Francisco, USA)
    • Year and Date
      2011-01-27
  • [Presentation] 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2010

    • Author(s)
      新井佑也, 遠藤雄太, 八木修平, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • Organizer
      第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大学(長崎)
    • Year and Date
      2010-09-14
  • [Presentation] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010

    • Author(s)
      石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • Organizer
      第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大学(長崎県)
    • Year and Date
      2010-09-14
  • [Presentation] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010

    • Author(s)
      星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
    • Organizer
      第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大学(長崎県)
    • Year and Date
      2010-09-14
  • [Presentation] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010

    • Author(s)
      高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
    • Organizer
      第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大学(長崎)
    • Year and Date
      2010-09-14
  • [Presentation] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2010

    • Author(s)
      福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
    • Organizer
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東海大学(神奈川県)
    • Year and Date
      2010-03-18
  • [Presentation] 極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定2009

    • Author(s)
      石川輝, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
    • Organizer
      第70回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山大学(富山県)
    • Year and Date
      2009-09-09
  • [Presentation] Polarization properties of photoluminescence from individual is oelectronic traps in nitrogen delta-doped semiconductors : effect of host crystals2009

    • Author(s)
      H. Yaguchi
    • Organizer
      The Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • Place of Presentation
      阿南工業高等専門学校 (徳島県)
    • Year and Date
      2009-08-11
  • [Presentation] Photoluminescence from single is oelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2009

    • Author(s)
      T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • Organizer
      The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • Place of Presentation
      神戸国際会議場 (兵庫県)
    • Year and Date
      2009-07-21
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.opt.ees.saitama-u.ac.jp/

URL: 

Published: 2013-07-31  

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