2011 Fiscal Year Final Research Report
Single Photon Generation from locally doped semiconductors
Project/Area Number |
21360004
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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Research Institution | Saitama University |
Principal Investigator |
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HIJIKATA Yasuto 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (70322021)
ONABE Kentaro 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)
KATAYAMA Ryuji 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
YAGI Shuhei 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (30421415)
KUBOYA Shigeyuki 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (70583615)
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Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
AKIYAMA Hidefumi 東京大学, 物性研究所, 准教授 (40251491)
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Project Period (FY) |
2009 – 2011
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Keywords | 半導体物性 / 光物性 / 応用光学・量子光工学MBE / エピタキシャル / 単一光子 |
Research Abstract |
We have fabricated locally doped semiconductors using atomic layer doping to realize the generation of unpolarized single photons with highly reproducible wavelengths, which is essential in the field of quantum information technology, such as quantum cryptography. We have obtained unpolarized single photons by selecting a proper face of the substrate to grow nitrogen atomic layer doped semiconductors. In addition, we have successfully observed biexcition emission from nitrogen atomic layer doped semiconductors, which leads to the generation of entangled photon pairs.
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[Journal Article] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2012
Author(s)
K. Takamiya, Y.Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
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Journal Title
Materials Science Forum
Volume: Vol.706-709
Pages: 2916-2921
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Photoluminescence from single is electronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2010
Author(s)
T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
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Journal Title
Physica
Volume: Vol.42, No10
DOI
Peer Reviewed
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[Presentation] 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光2012
Author(s)
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
Organizer
第59回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
早稲田大学(東京)
Year and Date
2012-03-17
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[Presentation] 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響2012
Author(s)
新井佑也, 星野真也, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
Organizer
第59回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
早稲田大学(東京)
Year and Date
2012-03-17
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[Presentation] Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs2011
Author(s)
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
Organizer
The 3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
Place of Presentation
International Academy Traunkirchen (Traunkirchen, Austria)
Year and Date
2011-09-12
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[Presentation] 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性2011
Author(s)
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
Organizer
第72回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
山形大学(山形県)
Year and Date
2011-08-30
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[Presentation] Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide2011
Author(s)
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H.Yaguchi
Organizer
The 7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
Place of Presentation
Quebec City Convention Centre (Quebec,Canada)
Year and Date
2011-08-03
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[Presentation] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010
Author(s)
石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
Organizer
第71回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
長崎大学(長崎県)
Year and Date
2010-09-14
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[Presentation] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010
Author(s)
星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
Organizer
第71回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
長崎大学(長崎県)
Year and Date
2010-09-14
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[Presentation] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
Author(s)
高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
Organizer
第71回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
長崎大学(長崎)
Year and Date
2010-09-14
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[Presentation] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)2010
Author(s)
福島俊之, 高宮健吾, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 岡野真人, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二
Organizer
第57回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
東海大学(神奈川県)
Year and Date
2010-03-18
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[Presentation] Photoluminescence from single is oelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A2009
Author(s)
T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
Organizer
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Place of Presentation
神戸国際会議場 (兵庫県)
Year and Date
2009-07-21
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