2009 Fiscal Year Annual Research Report
In-situリアルタイム分光法による有機極薄膜の電荷移動計測と制御
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21360020
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| Research Institution | Yokohama National University |
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Principal Investigator |
田中 正俊 Yokohama National University, 工学研究院, 教授 (90130400)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大野 真也 横浜国立大学, 工学研究院, 特別研究教員 (00377095)
大野 かおる 横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (40185343)
横山 崇 横浜市立大学, 生命ナノシステム研究科, 准教授 (80343862)
安田 哲二 産業技術総合研究所, ナノ電子デバイス研究センター, 研究チーム長 (90220152)
鈴木 隆則 防衛大学校, 応用物理学科, 教授 (60124369)
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| Keywords | 表面・界面物性 / 光物性 / 超薄膜 / マイクロ・ナノデバイス / 超分子化学 |
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| Research Abstract |
本年度の研究計画に従って、下記の1.-3.を進めた。
1.各種表面分光測定系の構築
有機極薄膜の表面差分反射分光(SDR)スペクトルを測定するため冷却型CCD検出器を用いた光学測定系を構築した。10月4-5日には来日中の研究協力者Prof.Weightmanと情報交換を行なった。また、安田研の真空紫外領域反射率差分光(RDS)装置及び鈴木研の第二高調波発生(SHG)測定装置を有機極薄膜測定用に改良した。
2.有機極薄膜作成装置の構築、SiO_2/Si界面の評価
Si表面上のα-sexithiophene(6T)分子の配列構造を横山研の走査トンネル顕微鏡(STM)で観察した。田中研の超高真空槽に有機分子蒸着用のKセル、ターボポンプ、スパッタイオン銃を設置し、横山研と同じ条件での有機薄膜形成を可能にした。また、Si-有機分子間の電荷移動の鍵となるSiO_2/Si界面の調整と評価を安田研で行なった。
3.光学応答スペクトルなどの計算
第一原理計算により有機分子・半導体界面の最適構造を決定し、この構造に対応する誘電応答関数を計算する方法を大野研で検討した。4月24日には来日中の研究協力者Dr.Seinoとも打ち合わせを行なった。
以上の準備を経て予備的な測定によって明らかにされた事実は以下の通りである。これらは来年度以降の研究の準備として十分であるばかりでなく、多くの新たな知見を含んでおり6編の学会発表として報告された。
・Si(111)-(√<3>×√<3>)-Ag表面で6T分子は[112]方向に等価な3方向の一次元鎖を形成する。
・H_2O/Si(001)表面で66T分子は初め基板に平行にある程度揃って配向するが、後に垂直方向に配向を変える。
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