2009 Fiscal Year Annual Research Report
ERゲル保持機構を利用した半導体製造工程におけるウエハの真空中高速搬送技術の開発
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21360066
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| Research Institution | Keio University |
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Principal Investigator |
青山 藤詞郎 Keio University, 理工学部, 教授 (70129302)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
柿沼 康弘 慶應義塾大学, 理工学部, 専任講師 (70407146)
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| Keywords | 固定装置 / 真空プロセス / 半導体製造技術 / 機能性エラストマ / ERゲル / ER流体 / 電気粘着効果 / シリコンウェハ |
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| Research Abstract |
真空環境下で使用可能な真空対応型ERゲルの材料開発と真空でのERゲルの基礎特性解析を目的とし,研究を進めてきた.第一に,放出ガスを現状の1/10以下に抑制することを目標に,ERゲル製造時の脱ガス処理プロセスの確立を図った.大気圧の1/10～1/100の減圧下において120℃で脱ガス処理し,その脱ガス処理時間と放出ガスの関係を定量的に評価した結果,6時間以上の脱ガス処理を施すことでERゲルから発生する放出ガスを現状の1/10以下に抑制できることが推定された(※但し100℃以下の使用条件).また,真空高温で使用するために,無機-無機複合ER粒子を製作し,高温特性を調べたところ,目標とした500℃までは難しかったが,300℃程度までの耐熱性を有することがわかった.
真空対応型ERゲルの開発に並行して,真空環境下および高温環境下でERゲルの基礎特性を解析した.10^<-5>Paの真空環境かつ300℃までの温度環境を実現できる真空チャンバ内で,水平方向及び垂直方向の固定力を測定するための試験装置を製作した.また,電源構成は従来ユニポーラであったが,固定対象であるウエハへの電気的影響を軽減するためにバイポーラ型とした.この測定システムを用いて,高真空高温環境下でのERゲルにおける電界に対する発生固定力を調べた結果,10^<-5>Pa,150℃の環境においても大気圧と同程度の発生固定力特性を示すことが明らかとなった.
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