2011 Fiscal Year Annual Research Report
SiCを用いた高密度用新型二端子抵抗変化型不揮発性メモリと集積化技術
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21360164
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| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
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Principal Investigator |
須田 良幸 東京農工大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10226582)
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| Keywords | 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 / メモリ / 不揮発性メモリ / 抵抗変化型 / SiC / トンネル効果 / MIS |
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| Research Abstract |
本研究は、今後日本の中核となる産業・民生電子機器の小型化・多様化を展開するため、研究代表者が考案した、全く新しい金属/トンネル酸化層/電子捕獲酸化層/SiC/Si型の(MIS、Metal Insulator Semiconductor)構造と動作原理からなる、現行の3端子メモリより高密度化が可能な2端子抵抗変化型不揮発性メモリについて、集積化メモリLSIを実用化するための基盤技術を確立することを目的としている。今年度は、昨年度に引き続き、本メモリの製造プロセスを現行LSIの1000℃以下の製造プロセス温度に整合させるため、SiC膜の作製法として、従来の高温成膜の必要なCVD(化学気相堆積)法に替えて、研究代表者が開発した環境軽負荷型のスパッタエピタキシー法を適応する研究を進め、オフSi基板を用いることで、CVD法と同等のSiC膜の品質が得られることが判り、メモリ性能としても同等程度が期待される。また、さらに、SiC膜の上に形成したAlを酸化して形成したAl酸化膜/SiC構造を用いた金属/酸化層/SiC/Si型のMIS構造で、従来型のMIS構造より高いメモリ性能のon/off比6.5以上で、10万回以上のエンデュランス特性を得た。どちらのMIS構造メモリも電界誘起型の動作原理で解析できた。以上、プロセスの低温化にもう1つの構造とプロセス手法を取得し、その動作を実証した。これにより本メモリの設計・製造基盤技術を進展できた。
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Research Products
(7 results)
