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2010 Fiscal Year Annual Research Report

ナノ構造体電気伝導特性シミュレーションプログラムの開発と低消費電力回路の設計

Research Project

Project/Area Number 21510133
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

広瀬 喜久治  大阪大学, 工学研究科, 特任教授 (10073892)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 後藤 英和  大阪大学, 工学研究科, 准教授 (80170463)
稲垣 耕司  大阪大学, 工学研究科, 助教 (50273579)
Keywords時間依存密度汎関数法 / 電子デバイス / エネルギー回生 / 微細トランス / 実空間差分法 / 鈴木トロッター公式 / レールウェイアルゴリズム
Research Abstract

本研究では、時間依存シュレーディンガー方程式および密度汎関数法に基づいた時間発展計算を長いシミュレーション時間にわたって安定に実行するための計算プログラムの開発を行っている。これまでに開発した時間発展計算プログラムは主に次の2つを特徴とする。1.ハミルトニアン演算子の指数演算の実行において、これまで開発している実空間差分法(中心差分)に加えて鈴木・トロッターのスプリットオペレータを適用することにより、ベッセル関数で表現された高精度時間発展スキームを作成しこれを用いていること。2.レールウェイアルゴリズムを用いてタイムステップΔtの半分の時点でのハミルトニアン推定精度を向上させ、セルフコンシステント計算を高精度化した方法を採用したこと。これらに基づく計算精度向上により0.01a.u.程度の大きなタイムステップでも波動関数のノルムが長計算時間にわたって保存する計算を実現した。このような高いノルム保存性の実現は実際のシミュレーションを実行するうえで非常に重要であり、量子力学的時間スケールと古典電気回路的時間スケールの間の領域を解析するのにきわめて重要である。水素原子に交播電場を加えた計算において時間発展計算の印加電磁場の周波数と励起エネルギーがうまく合致しない問題が生じ、その検討を主に行った。時間発展計算で起こる電荷密度変化に伴うポテンシャル変化が交換相関ポテンシャルとうまくキャンセルしないことが原因と考えた。電子数が多い系ではその効果が相対的に小さいため、誤差は抑制できるものと考えられることから、今後は計算時間が長くなるが電子数の多い系での計算を実施していく予定である。

  • Research Products

    (15 results)

All 2011 2010

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (13 results)

  • [Journal Article] Time-saving first-principles calculation method for electron transport between jellium electrodes2010

    • Author(s)
      Yoshiyuki Egami, Kikuji Hirose, Tomoya Ono
    • Journal Title

      Phys.Rev.E

      Volume: 82 Pages: 056706(1-9)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Breaking the 10nm barrier in hard-X-ray focusing2010

    • Author(s)
      H.Mimura, (6名略), K.Inagaki, (5名略) T.Ishikawa, K.Yamauchi
    • Journal Title

      NATURE PHYSICS

      Volume: 2 Pages: 122-125

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 非直交基底による電子相関エネルギーの高精度計算手法2011

    • Author(s)
      佐々木晃, 広瀬喜久治, 後藤英和
    • Organizer
      日本物理学会2011年年次大会
    • Place of Presentation
      新潟市
    • Year and Date
      20110325-28
  • [Presentation] 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端原子構造の解析2011

    • Author(s)
      大上まり, 稲垣耕司, 森川良忠
    • Organizer
      日本物理学会2011年年次大会
    • Place of Presentation
      新潟市
    • Year and Date
      20110325-20110328
  • [Presentation] HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与2011

    • Author(s)
      稲垣耕司, 広瀬喜久治, 森川良忠, 安武潔
    • Organizer
      日本物理学会2011年年次大会
    • Place of Presentation
      新潟市
    • Year and Date
      20110325-20110328
  • [Presentation] カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション2011

    • Author(s)
      井関信太郎, 稲垣耕司, 森川良忠
    • Organizer
      日本物理学会2011年年次大会
    • Place of Presentation
      新潟市
    • Year and Date
      20110325-20110328
  • [Presentation] 水素終端化Si(001)2x1表面に過剰吸着したHの拡散2010

    • Author(s)
      稲垣耕司、広瀬喜久治、安武潔
    • Organizer
      日本物理学会2010年秋季大会
    • Place of Presentation
      大阪市
    • Year and Date
      20100923-20100926
  • [Presentation] カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション2010

    • Author(s)
      井関信太郎、稲垣耕司、森川良忠
    • Organizer
      第4回分子科学討論会2010大阪
    • Place of Presentation
      大阪府豊中市
    • Year and Date
      20100914-20100917
  • [Presentation] H終端2x1Si(001)表面に過剰吸着したH原子の拡散過程2010

    • Author(s)
      稲垣耕司、広瀬喜久治、安武潔
    • Organizer
      日本物理学会2010年秋季大会
    • Place of Presentation
      長崎市
    • Year and Date
      20100914-20100917
  • [Presentation] First-Principles study of electron transfer from 4H-SiC(0001) to Pt2010

    • Author(s)
      S.Iseki, K.Inagaki, K.Yamauchi, Y.Morikawa
    • Organizer
      International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials
    • Place of Presentation
      Osaka, Japan
    • Year and Date
      20100530-20100604
  • [Presentation] Electronic Structure of Quantum Dots : Direct Energy Minimization Approach2010

    • Author(s)
      Akira Sasaki, Kikuji Hirose, Hidekazu Goto
    • Organizer
      International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials
    • Place of Presentation
      Suita, Japan
    • Year and Date
      20100530-20100604
  • [Presentation] First-principles Analysis Silicon Etching by Hydrogen Radical-Diffusion of Absorbed Hydrogen Atom on Si(001)2x1 Surface-2010

    • Author(s)
      K.Inagaki, K. Hirose, Y. Morikawa, K.Yasutake
    • Organizer
      Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      Suita, Japan
    • Year and Date
      2010-11-24
  • [Presentation] Electron-Electron Interactions in Few-Electron Quantum Dots : Direct Energy Minimization Approach2010

    • Author(s)
      A.Sasaki, K.Hirose, H.Goto
    • Organizer
      Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      Suita, Japan
    • Year and Date
      2010-11-24
  • [Presentation] First-Principles Study of CO Oxidation on Carbon Alloy Catalysts2010

    • Author(s)
      S.Iseki, K.Inagaki, Y.Morikawa
    • Organizer
      Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      Suita, Japan
    • Year and Date
      2010-11-24
  • [Presentation] Role of Correlation Effects in Many-Electron System : Toward Overcoming Unreliability Problems of Density Functional Theory2010

    • Author(s)
      M.Kojo, K.Hirose
    • Organizer
      Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • Place of Presentation
      Suita, Japan
    • Year and Date
      2010-11-24

URL: 

Published: 2012-07-19  

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