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2011 Fiscal Year Annual Research Report

格子不整合薄膜表面構造とナノ構造形成のボンドエンジニアリング

Research Project

Project/Area Number 21560032
Research InstitutionMie University

Principal Investigator

伊藤 智徳  三重大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80314136)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 秋山 亨  三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40362363)
Keywords半導体表面構造 / 状態図 / 格子不整合系 / ぬれ層表面 / 酸化物表面構造 / 成長機構 / ナノ構造 / 計算科学
Research Abstract

前年度予備検討を行ったInAs/GaAs(001)系を対象に,InAsぬれ層表面の状態図および原子吸着を中心に,量子ドット形成との関連について理論検討を行った。またAlN/Al_2O_3系におけるAl_2O_3表面窒化,AIN層形成過程を検討し,ぬれ層表面での特異な素過程を明らかにした。概要は以下の通りである。
InAs/GaAs格子不整合系InAsぬれ層における成長過程:GaAs(001)基板上InAsぬれ層の表面構造ならびに表面上でのIn原子吸着の膜厚依存性について検討した。その結果GaAs(001)-c(4×4)α基板上でのInAsぬれ層の表面構造は,InAs膜厚0.63分子層において(2×3)構造に,1.34分子層において(2×4)α構造に変化していくことを明らかにした。これらの表面構造における成長条件下でのIn原子吸着を検討したところ,ぬれ層形成の始状態であるGaAs(001)-c(4×4)基板表面ならびに終状態であるひずみ緩和後のInAs(001)-(2×4)α表面ではln原子は吸着するものの,中間状態である(2×3)表面およびぬれ層(2×4)α表面には吸着しないことを新たに見いだした。これは,In原子がInAsぬれ層形成を先導するという従来の考え方と異なる結果であり,ひずみを内包したぬれ層における成長と量子ドットが形成されるひずみ緩和後の成長では機構が異なることを示唆している。
AlN/Al_2O_3格子不整合系Al_2O_3表面における窒化過程:Al_2O_3基板上での窒化過程ひいてはAlN形成過程について検討し,窒化条件下においてAl_2O_3表面での表面0原子の脱離に伴うN原子吸着,そのN原子と表面下の0原子の置換が一連の過程としてAl_2O_3の窒化ひいてはAIN層形成をもたらすことを見いだした。本結果は実験結果と一致しており,原子レベルからの窒化機構の理解に有為な結果と考えられる。

  • Research Products

    (36 results)

All 2012 2011 2010

All Journal Article (9 results) (of which Peer Reviewed: 9 results) Presentation (27 results)

  • [Journal Article] Reconstructions on AlN polar surfaces under hydrogen rich conditions2012

    • Author(s)
      Toru Akiyama, Daisuke Obara, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 51 Pages: 018001-1-2

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.51.018001

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Stability of nitrogen incorporated Al_2O_3 surfaces : Formation of AlN layers by oxygen desorption2012

    • Author(s)
      Toru Akiyama, Yasutaka Saito, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Journal Title

      Surface Science

      Volume: 606 Pages: 221-225

    • DOI

      DOI:10.1016/j.susc.2011.09.018

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effects of interlayer interactions on structural stability and electronic structures of twin boundary interfaces in CaCO_3 calcite2012

    • Author(s)
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Journal Title

      Journal of Physical Chemistry

      Volume: 116 Pages: 987-993

    • DOI

      DOI:10.1021/jp209647b

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ab initio-based approach to GaN surfaces : Reconstruction, adsorption, and incorporation2012

    • Author(s)
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • Journal Title

      Semiconductor Science and Technology

      Volume: 27 Pages: 024010-1-9

    • DOI

      DOI:10.1088/0268-1242/27/2/024010

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] エピタキシャル成長素過程への量子論的アプローチ2011

    • Author(s)
      秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Journal Title

      日本結晶成長学会誌

      Volume: 38 Pages: 137-143

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Empirical potential approach to the epitaxial relationship between AlN thin films and Si (001) substrates2011

    • Author(s)
      Tomonori Ito, Haruo Nakano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • Journal Title

      Physica Status Solidi C

      Volume: 8 Pages: 1569-1572

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201000865

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Theoretical investigation of effect of side facets on adsorption-desorption behaviors of In and P atoms at top layers in InP nanowires2011

    • Author(s)
      Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 50 Pages: 055001-1-4

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.50.055001

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Stability of carbon incorporated semipolar GaN (1-101) surfaces2011

    • Author(s)
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura Tomonori Ito
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 50 Pages: 080216-1-3

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.50.080216

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Atomic and electronic structure of CaCO_3 surfaces2011

    • Author(s)
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura Tomonori Ito
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 84 Pages: 085428-1-10

    • DOI

      DOI:10.1103/PhysRevB.84.085428

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] BNの構造多形に関する簡単な理解2012

    • Author(s)
      伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
    • Organizer
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2012-03-16
  • [Presentation] InP(111)A面上における成長初期過程のモンテカルロシミュレーション2012

    • Author(s)
      山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Organizer
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2012-03-16
  • [Presentation] GaAs(001)表面におけるBi原子の吸着に関する理論的研究2012

    • Author(s)
      村瀬功, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Organizer
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2012-03-16
  • [Presentation] α-Al_2O_3表面における窒化初期過程に関する理論検討2012

    • Author(s)
      秋山亨,斉藤康高,伊藤智徳,中村浩次
    • Organizer
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2012-03-15
  • [Presentation] 計算科学から見た半導体ナノワイヤの形成機構2012

    • Author(s)
      秋山亨
    • Organizer
      2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京(招待講演)
    • Year and Date
      2012-03-15
  • [Presentation] A simple approach to the polytypism in boron nitride2012

    • Author(s)
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • Organizer
      American Physical Society March Meeting 2012
    • Place of Presentation
      Boston
    • Year and Date
      2012-02-29
  • [Presentation] Ab initio-based approach to elemental formation processes of InAs wetting layer on GaAs(001)2011

    • Author(s)
      Tomonori Ito, Tatsuhiko Sugitani, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • Organizer
      2^<nd> Nano Today Conference
    • Place of Presentation
      Kohara
    • Year and Date
      2011-12-13
  • [Presentation] Atomic and electronic structures of calcium carbonate surfaces : A first-principles study2011

    • Author(s)
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Organizer
      6^<th> International Symposium on Surface Science
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2011-12-13
  • [Presentation] Theoretical investigation for nitrogen-incorporated α-Al_2O_3 surfaces2011

    • Author(s)
      Yasutaka Saito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Organizer
      6^<th> International Symposium on Surface Science
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      2011-12-13
  • [Presentation] 計算材料科学から見た窒化物半導体2011

    • Author(s)
      伊藤智徳
    • Organizer
      阿南高等工業専門学校第16回寄附講座セミナー
    • Place of Presentation
      阿南(招待講演)
    • Year and Date
      2011-11-10
  • [Presentation] Ab initio-based investigations for In adatom on the InAs(111)A surface2011

    • Author(s)
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • Organizer
      International Workshop on Atomic-Scale Manipulation and Spectroscopy of Surfaces and Nanostructures
    • Place of Presentation
      厚木(招待講演)
    • Year and Date
      2011-10-13
  • [Presentation] GaAs(001)上InAsぬれ層形成過程に関する一考察2011

    • Author(s)
      伊藤智徳,秋山亨,中村浩次
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      2011-09-02
  • [Presentation] α-Al_2O_3(1-102)表面における窒化に関する量子論的アプローチ2011

    • Author(s)
      斉藤康高, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      2011-09-02
  • [Presentation] α-Al_2O_3(0001)表面での窒素取り込みにおける反応種依存性の理論検討2011

    • Author(s)
      秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      2011-09-02
  • [Presentation] GaAsナノワイヤ成長条件下におけるGaAs(111)B表面再構成の理論的検討2011

    • Author(s)
      村瀬功, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      2011-09-02
  • [Presentation] GaAs(001)基板上InAs表面におけるIn原子のマイグレーションに対するモンテカルロシミュレーション2011

    • Author(s)
      杉谷龍彦, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      2011-09-02
  • [Presentation] InPナノワイヤにおけるIn原子の表面拡散に関する理論的研究2011

    • Author(s)
      山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      2011-08-31
  • [Presentation] 化合物半導体の原子レベル表面反応機構2011

    • Author(s)
      伊藤智徳
    • Organizer
      2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形(招待講演)
    • Year and Date
      2011-08-29
  • [Presentation] GaN表面状態図から見た再構成,H吸着,Mg取り込み2011

    • Author(s)
      伊藤智徳
    • Organizer
      東北大学金属材料研究所共同利用研究会「窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用」
    • Place of Presentation
      仙台
    • Year and Date
      2011-08-08
  • [Presentation] Growth processes of InP with wurtzite and zinc blende structures on (111) A surface2011

    • Author(s)
      Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Organizer
      International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      2011-06-29
  • [Presentation] Ab initio-based approach to elemental growth process of In adatom on the InAs wetting layer grown on GaAs2011

    • Author(s)
      Tomonori Ito, Kosuke Ogasawara, Tatsuhiko Sugitani, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • Organizer
      International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      2011-06-28
  • [Presentation] A simple approach to the polytypism in SiC2011

    • Author(s)
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • Organizer
      International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      2011-06-27
  • [Presentation] Ab initio-based approach to elemental nitridation process of α-Al_2O_32011

    • Author(s)
      Yasutaka Saito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • Organizer
      International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      2011-06-27
  • [Presentation] Structural stability and electronic properties in Al_2O_3 and CrO_3 mixed crystals"2011

    • Author(s)
      Yukie Kitaoka, Kohji Nakamura, Toru Akiyama, Tomonori Ito
    • Organizer
      International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      2011-06-27
  • [Presentation] Structural stability of Mn-doped GaInAs and GaInN alloys2011

    • Author(s)
      Masahiro Miyake, Kohji Nakamura, Toru Akiyama, Tomonori Ito
    • Organizer
      International Conference on Materials for Advanced Technologies
    • Place of Presentation
      Singapore
    • Year and Date
      2011-06-27
  • [Presentation] SiCの構造多形に関する一考察2011

    • Author(s)
      伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
    • Organizer
      結晶加工と評価技術第145委員会第126回研究会
    • Place of Presentation
      東京(招待講演)
    • Year and Date
      2011-06-16
  • [Presentation] InAs量子ドット形成過程に関する一考察2010

    • Author(s)
      伊藤智徳
    • Organizer
      東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「ナノスケールのゆらぎ・電子相関制御に基づく新規ナノデバイス」
    • Place of Presentation
      仙台
    • Year and Date
      2010-10-21

URL: 

Published: 2013-06-26  

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