2009 Fiscal Year Annual Research Report
広範な抵抗率可変機能を持つ新しい薄膜ナノ材料の開発と最先端集積回路への応用
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21560320
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| Research Institution | Kitami Institute of Technology |
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Principal Investigator |
武山 眞弓 Kitami Institute of Technology, 工学部, 准教授 (80236512)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野矢 厚 北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
町田 英明 東京大学, 工学研究科, 研究員 (30535670)
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| Keywords | ナノ材料 / ホウ化物 / 抵抗率 / ナノコンポジット / Zr-B |
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| Research Abstract |
本研究課題では、Zr-B合金の中で、極めて特徴的なインターカレーション構造を持つZrB_2薄膜を基本として、Zr-B薄膜の組成を変化させて、抵抗率可変機能を有するのかどうかを検討した。その結果、まず基本としたZrB_2膜をZr-B複合ターゲットを用いて作製したが、同じ組成の膜であっても基板を変化させることで、得られた膜の抵抗率を15～数千μΩcmまで変化させられることを見い出した。さらに、Zr-B膜の組成を変化させた場合にも、基板の導電率に従って、抵抗率可変機能が保持されることがわかった。代表者らは、このZr-B特有のキャラクタリゼーションの応用として、Si-ULSIにおけるCu配線のメタルキャップ膜への適用を考え、キャッピング膜としての特性を評価した。その結果、興味深い結果が得られ、Zr-B膜は成膜後のエッチング等のプロセスを行うことなく、Cu配線上のメタルキャップ膜となり得る可能性を秘めた有望な材料であり、かつ酸化耐性等もあり、Cuの酸化を抑制できるバリヤとしての機能も有することが明らかとなった。以上のことから、当初の目的は十分に達成された。
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