2009 Fiscal Year Annual Research Report
強誘電体・蛍光体ナノ複合構造によるメモリ効果と光電変換型不揮発性メモリへの応用
| Project/Area Number |
21560338
|
|---|
| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
會澤 康治 Kanazawa Institute of Technology, 工学部, 教授 (40222450)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
得永 嘉昭 金沢工業大学, 工学部, 教授 (00072174)
|
|---|
| Keywords | スピンコート法 / 回転輻射乾燥法 / 強誘電体 / 蛍光体 / 積層構造 / 不揮発性メモリ / PVDF / TrFE / SBT:Eu |
|---|
| Research Abstract |
本研究では、蛍光体と強誘電体との積層構造を用いた光・電子融合型不揮発性メモリの実現を目指す。そのため平成21年度では、本研究で用いる強誘電体および蛍光体膜の形成実験を行った。具体的には、強誘電体にSrBi_2Ta_2O_9:SBTやPVDF/TrFEなどを、蛍光体にユウロピウム添加酸化SBT(SBT:Eu)を検討した。
本研究では、Pt膜付基板上に強誘電体および蛍光体膜をスピンコート法で形成するが、膜質が安定しないといった問題があった。そのため今年度は、従来のスピンコート法と比べて効率よく薄膜の形成できる回転輻射乾燥法を考案し、この方法で形成した薄膜の評価を行った。回転輻射乾燥法とは、スピンコート中のサンプル表面にランプ照射を行い、輻射熱(サンプル表面で90℃付近)によって溶媒を蒸発させることで、成膜工程の簡略化と膜質の向上を図る方法である。結果として、本方法を用いたPVDF膜は透明のIII型結晶であることが分かった。またPVDF/TrFE膜の形成では、残留分極量が0.7μC/cm^2の良好な分極特性を持つ膜ができた。SBTおよびSBT:Eu膜の形成では、熱処理温度を800℃にすることにより、均一な膜を作製できたが、良好な電気的特性を有する膜の形成には至らなかった。以上の結果より、回転輻射乾燥法はPVDFやPVDF/TrFE膜を形成する場合に有用であることを明らかにした。
本年度は、電子加速層に用いる硫化亜鉛(ZnS)膜のDCスパッタによる形成も試みた。不純物の混入を避けるため、既設のDCスパッタ装置とは別に新規のDCスパッタ装置と厚さ5mmのZnS焼結体を購入し、ZnS膜の形成実験を行った。具体的には、Arガスを用いてエミッション電流10～20mA、形成時間15～60分の条件で実験を行った。結果として、放電状態の問題が発生し所望の膜厚のZnSは形成できなかった。しかし、この問題は導電処理されたZnSターゲットで解決可能なことから、既設の実験装置を用いて導電処理したZnSターゲットを作製し、形成実験を継続して行う予定である。
|
