2010 Fiscal Year Annual Research Report
高速・高精度な超LSI故障個所解析装置用診断支援手法の開発
| Project/Area Number |
21560353
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
三浦 克介 大阪大学, 情報科学研究科, 准教授 (30263221)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
御堂 義博 大阪大学, 情報科学研究科, 助教 (00448094)
|
|---|
| Keywords | LSI / レーザSQUID顕微鏡 / L-SQ / レーザ誘起テラヘルツ波顕鏡 / LTEM / 故障診断 / シミュレーション / SPICE |
|---|
| Research Abstract |
本研究では、半導体集積回路(LSI : large scale integrated circuit)の高信頼化の為、レーザSQUID (superconducting quantum interference device)顕微鏡法(L-SQ法)、レーザ誘起テラヘルツ波顕微鏡法(LTEM法)のシミュレータ改良、故障診断支援法の開発を目的としている。平成22年度は、主に、昨年度改良したL-SQシミュレータを用い、実チップのレイアウトデータを用いたシミュレーションを行い、この結果を実測結果と比較した。浜松ホトニクス社の協力を得、L-SQ顕微鏡・LTEM顕微鏡複合装置を用いて良品および不良品LSIチップのL-SQ像を取得した。シミュレーション結果と実測結果を比較したところ、合致する良好な結果が得られた。しかし、レーザ走査像においては異常コントラスト箇所と欠陥箇所が一致せず、SQUID走査像においては空間解像度不足の為、観測画像から欠陥箇所を特定することは困難であった。そこで、シミュレータを活用した故障診断手法の検討を行った。レイアウトデータ(LSI設計データ)から欠陥危険個所を抽出し、そこへ欠陥を注入してL-SQ像シミュレーションを行い、実測結果と比較を行う。欠陥危険個所は複数あるので、それぞれについてシミュレーションおよび比較を行って、最も実測結果と良く合致する欠陥危険個所を最終結果とする。この手法のソフトウェアを実装し、実チップに適用したところ、正しい欠陥箇所(LSI製造時に、あらかじめ、疑似欠陥を作り込んでいるので、正確な欠陥箇所が分かっている)が指摘された。
|
