2011 Fiscal Year Annual Research Report
素子ばらつき・経年劣化に耐性を持つアナログ回路動作マージン自動極大化設計法の研究
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21560356
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| Research Institution | Kyushu Institute of Technology |
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Principal Investigator |
中村 和之 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 教授 (60336097)
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| Keywords | CMOS / アナログ回路 / 素子劣化 / ばらつき / 最適化 / 環境変化 / 経年劣化 / 動作マージン |
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| Research Abstract |
環境（温度）変動、ばらつき、経年変化等の課題を克服して、特に高い信頼性を持つ車載／ロボット用LSIを提供する新しいアナログ回路の設計手法「マージン自動極大化設計法」の構築を行ってきた。これまでに対象回路として、発振回路とアナログIPについて、マージン最大化技術や性能補正技術の研究を進めてきたが、それらの技術についてまとめ、国際学会で発表するとともに、２件の論文にまとめた。さらにH23年度とH24年度は、最終的な性能を評価するために、上記コンセプトを拡張し、ＳＲＡMへ適用した、レシオレスSRAM回路の実証ＬＳＩをＶＤＥＣにより試作した。その評価結果により、マージンフリー動作を実現し、桁違いに素子性能がばらついても動作が確保される優れた性能を実験的に照明することに成功した。この研究成果を国際学会IEEE International Memory Work Shopにて発表を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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