2009 Fiscal Year Annual Research Report
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21560361
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
本田 徹 Kogakuin University, 工学部, 教授 (20251671)
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| Keywords | 窒化ガリウム / 紫外発光 / 発光ダイオード / 集積化 / 面発光 / 3原色発光 / 透明電極 / MBE |
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| Research Abstract |
フラット・ディスプレイパネルに要求されるGaN(窒化ガリウム)系発光素子は、大面積に配置することが必要であることが不可欠であると共に、上記したように大幅な低価格化が要求される.そこで、本研究では、(1)集積化LEDを用いたプレーナー型micro-LED arrayの製作、および(2)EL素子を発光層とした集積化発光素子の製作の2方法を用いた発光素子によるディスプレイ製作を提案している.通常LEDは、発光層(活性層)とその周辺(クラッド層)との屈折率差により、薄膜構造と平行に導波される光成分が大きい.これは、各発光素子間の干渉につながる.そこで、屈折率的に3次元である発光層の製作を検討した.また,素子の基本的な構造を製作し、将来の集積化への問題点を探すことを目的GaNの結晶成長電極形成などめ検討を行った.プレーナー型micro-LEDの基本的な素子構造としてショットキー型構造に着目して検討を行った結果,発光ダイオードが形成できることはこれまでに報告してきたが,表面改質をアルミニウムフェースパック法を用いることにより低コストに素子特性向上が行えることがわかった.また,この形状の場合,基板面を光出射方向とすると,内部吸収により,発光効率が非常に低下することがわかったので,紫外透明電極としてMgZnO(酸化マグネシウム,酸化亜鉛混晶)薄膜を提案し,その製作を行った.その結果,MgZnOにおけるMg組成が10%程度以上にすると,GaN系発光ダイオード370nmの発光に対して透明になることがわかった.また,分子線エピタキシャル成長(MBE)法を用いて低コストGaNの製作方法を検討した.
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Research Products
(3 results)
