2011 Fiscal Year Annual Research Report
CVSL・高速ゲート・ニューロン構造組み込みSET耐性強化宇宙用LSI回路
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21560375
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| Research Institution | Shizuoka Institute of Science and Technology |
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Principal Investigator |
波多野 裕 静岡理工科大学, 理工学部, 准教授 (80238013)
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| Keywords | 電子デバイス・機器 / デバイス設計 / 放射線、粒子線 / 宇宙線 / シミュレーション |
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| Research Abstract |
22年度までの「耐シングル・イベント・トランジェント(SET)回路の研究」の結果を踏まえて、23年度も前年度の検討を(チップ試作を含めて)継続して、カスケード電圧スイッチ論理(CVSL)回路、オリジナルのクロック形CVSL(C^2VSL)回路、及びCMOS回路などのSET耐性に関するデータの蓄積を行った。
同時に、新規に提案している選択的にメタル・カバーを施した、基本論理ゲートと検出回路、組み合せ論理回路と検出回路、組み合せ論理回路によるチェーン回路と検出回路、及びCMOSスタティックRAMセルを設計試作して、試作チップに対するレーザ・ビーム照射実験を行った。
更に、耐放射線性を劣化させる極限微細化による高集積化ではなく、フローティング・ゲートと、これに容量結合された複数の入力ゲートを持ち、ゲートレベルでの全入力の荷重和を計算し、その結果に基づきトランジスタのオン・オフを制御するニューロンMOSトランジスタ(IEICE Trans. Electron., vol. E86-C, no. 6, pp. 1114-1116, 2003.)を用いた回路に対するSET耐性をシミュレーションで検討した。ニューロンMOS集積回路の設計アルゴリズムを発展させて、放射線環境において動作可能なニューロンMOS回路を設計するための研究に着手した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
「研究の目的」に記載した内容に関して、5年計画のうちの3年経過時点で、ほぼ6割程度達成している、と考えられる。
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| Strategy for Future Research Activity |
今後も、研究計画に沿って、着実に研究課題を推進する予定である。現時点では、研究計画の大きな変更の可能性は少ない、と考えられる。
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Research Products
(8 results)
