2010 Fiscal Year Annual Research Report
サブ波長誘電率分布構造による低電圧駆動液晶光学デバイスの開発に関する研究
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21560380
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| Research Institution | Akita Research and Development Center |
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Principal Investigator |
佐藤 進 秋田県産業技術センター, 電子光応用開発部, 技術顧問 (50005401)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
内田 勝 秋田県産業技術センター, 電子光応用開発部, 主任研究員 (90370238)
河村 希典 秋田大学, 工学資源学研究科, 講師 (90312694)
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| Keywords | 光学デバイス / 液晶 / サブ波長 / 誘電体 |
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| Research Abstract |
1.平成21年度に引き続き、液晶セル基板界面における誘電率及びインピーダンス等の分布形状と液晶層に加わる実効電圧の関係、及び電界による液晶分子配向状態と屈折率分布特性について、連続体理論に基づきインピーダンス回路網モデルを併用したシミュレーション解析により、液晶層内において光学位相差が放物線(二次元)状を含む種々の形状に滑らかに変化するような条件を明らかにすると共に、所定の屈折率分布の勾配を実現するために必要な強誘電体微粒子等の密度分布に関わる設計指針を得ることができた。さらに、この手法を適用することで、軸対称の不均一電界を利用した液晶レンズにおける分子配向特性や光学特性等に関わるシミュレーション解析法を確立することができた。
2.ITO基板面上に強誘電体ナノ粒子を分散した微細領域を形成する方法として、ディスペンサを用いる装置を構成し、基礎的な動作特性等に関わる装置の整備を行った。
3.インクジェット法による強誘電体ナノ粒子等による微細領域の形成法を確立し、ITO基板面上にナノ粒子等を分散した微細領域を有する試料を形成し、その基礎特性の測定及び評価を行った。
4.強誘電体ナノ粒子を分散した樹脂試料を用いてITO基板面上に凹面形状の試料を構成することで、厚み方向における電位の変化を利用することで軸対称的な電位分布が得られる液晶セル基板を作製した。
5.前述の各々の手法により作製したサブ波長ナノ粒子分散層を有するITO基板を用いて液晶セルを作製し、電圧無印加時及び外部電圧印加時における実効的な光学位相差及びその分布特性等の詳細な測定及び評価を行い、印加電圧による光学位相差特性の変化を得ることができた。
6.平成22年度における研究を総括し、次年度における研究指針を策定した。
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