2009 Fiscal Year Annual Research Report
フレキシブル半導体上におけるスピン機能創出とトランジスタ応用
| Project/Area Number |
21656005
|
|---|
| Research Institution | Kyushu University |
|---|
Principal Investigator |
宮尾 正信 Kyushu University, 大学院・システム情報科学研究院, 教授 (60315132)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
|
|---|
| Keywords | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / ディスプレイ / 強磁性体 / スピントランジスタ |
|---|
| Research Abstract |
本研究では、フレキシブル半導体(擬似単結晶SiGe/フレキシブル基板)をベースとしたスピントランジスタの創製を目指し、その基盤技術の探索と構築を行う本年度は3年計画の第1年度として、(1)擬似単結晶SiGeのドメイン径制御と(2)強磁性ホイスラー合金の歪みエピタキシャル成長を検討した。
(1) 非晶質SiGe薄膜にインプリント法により触媒原子を添加後に熱処理を行い、界面エネルギーの最も低い(111)結晶核の形成とその後の横方向に固相成長により、擬似単結晶SiGeを形成するプロセスを検討した。機構解明と制御を目的とし、成長開始時間及び成長距離をGe濃度,アニール温度,アニール時間の関数として調べ、結晶核発生及び固相成長に要する活性化エネルギーを算出した。
(2) 強磁性ホイスラー合金(Co2FeSi他)のエピタキシャル成長に与える歪みの影響を、格子定数の異なる単結晶Sil-XGeX(0≦X≦1)基板を用いて検討した。Si或いはGe基板上に歪みが緩和する条件(≧600℃)でSiGeを成長し、格子定数の異なる基板(0.545～0.565nm)を作成した。この基板上に強磁性ホイスラー合金のエピタキシャル成長を行い、その結晶性を電子顕微鏡で観察した。高品質エピタキシャル成長に必要な成長条件の指針を明らかにした。
|
