2010 Fiscal Year Annual Research Report
フレキシブル半導体上におけるスピン機能創出とトランジスタ応用
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21656005
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
宮尾 正信 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 特任教授 (60315132)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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| Keywords | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / ディスプレイ / 強磁性体 / スピントランジスタ |
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| Research Abstract |
本研究では、フレキシブル半導体(擬似単結晶SiGe/フレキシブル基板)をベースとしたスピントランジスタの創製を目指し、その基盤技術の探索と構築を行う。本年度は3年計画の第2年度として、(1)擬似単結晶SiGeのドメイン径制御と(2)強磁性ホイスラー合金の歪みエピタキシャル成長を検討した。
(1)非晶質SiGe薄膜の金属触媒誘起成長を検討した。A1触媒を用いたSiGe成長の様態を詳細に検討し、絶縁性基板との界面エネルギーの異方性を活用し、(111)配向した擬似単結晶SiGe(Ge濃度:0～100%)を形成するプロセスを構築した。更に、SiGeの成長速度を向上する為、反応の素過程に基づいた成長機構の考察を行い、新触媒の探索を行った。その結果、Auを用いる事でSiGe成長が加速できる事を見出した。
(2)強磁性ホイスラー合金(Co2FeSi他)のエピタキシャル成長に与える歪みの影響を、格子定数の異なる単結晶Si1-XGeX(0≦X≦1)基板を用いて検討した。Si或いはGe基板上に歪み緩和したSiGeを成長し、格子定数の異なる基板(0.545～0,565nm)を作成した。この基板上に強磁性ホイスラー合金のヘテロエピタキシャル成長を行い、その結晶性を電子顕微鏡で観察すると共に、規則度を詳細に検討した。ホイスラー合金の規則度と組成の関係を評価し、規則度向上のプロセス指針を明らかにした。
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Research Products
(4 results)
