2012 Fiscal Year Annual Research Report
Ｔｈｅｏｒｙ ｏｆ ｅｍｂｅｄｄｅｄ ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ
| Project/Area Number |
21686003
|
|---|
| Research Institution | Yokohama National University |
|---|
Principal Investigator |
|
|---|
| Project Period (FY) |
2009-04-01 – 2013-03-31
|
| Keywords | スピントロニクス / 太陽電池 / 理論計算 / マテリアルデザイン |
|---|
| Research Abstract |
研究目的は半導体中のナノ構造の理論研究及びそれによって新機能材料の理論的開発です。
その目的に向けて、具体的に半導体中の遷移金属不純物及び不純物クラスタの理論計算を行いました。ホスト半導体材料はGaN,AlN,GaAs,ZnTeで、不純物は磁性をもつCr,Mn,Fe,Gdです。まず最初、第一原理計算のより、下記のような成果を得られました。(1)AlN,GaN,GaAs中の遷移金属不純物の磁気相互作用の理論的説明。(2)GaN,AlN中のポラロン理論。(3)GaAsにおけるMn,FeのSTM実験の予想。(4)AlN,ZnTe中の１次元的ナノ構造「準１次元鎖」の形及び伝導性及び磁性の理論。(5)GaN/GdNの２次元的界面構造、磁性、ショットキー電位差を求めた。
上記の第一原理計算により、半導体中の１次元的ナノクラスタを応じて、新材料開発原理を作成した。準１次元鎖のあつさによって磁気相互作用はコントロールができます。それらのナノ構造の結晶成長の具体的なやり方を提案しました。特に、不純物の電化状態によって、結晶成長のコントロールを提案しました。
半導体における金属ナノ構造・ナノ界面でのショットキー接合計算によって新たな太陽電池材料を提案しました。
上記の研究成果は国際学会及び発表論文で発表されています。現時点で昨年度の成果について、投稿済みの論文は３本。
|
| Current Status of Research Progress |
Reason
24年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
|
