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2012 Fiscal Year Annual Research Report

半導体多孔質構造を利用した機能的ナノ界面の高密度形成と高感度化学センシング技術

Research Project

Project/Area Number 21686028
Research InstitutionHokkaido University

Principal Investigator

佐藤 威友  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)

Project Period (FY) 2009-04-01 – 2013-03-31
Keywords半導体ナノ構造 / 多孔質構造 / 機能修飾 / 化学センサ / 電気化学
Research Abstract

昨年度までに試作した化学センサの基本動作を明らかにし、高感度検出に向けて素子構造の改良を行った。具体的には、多孔質構造表面に形成される乱れ層の除去プロセスを完成させ、表面モホロジーが検出感度にあえる影響について明らかにした。また、より広範の化学・生体物質の検出に向けた、表面修飾技術の基礎として、白金微粒子を孔内壁に形成する手法を確立した。さらに、本年度は光化学反応の検出にも取り組み、高速・高感度化学センサの実現に向けて素子構造の最適化を行った。
1. ポーラス構造初期に表面に形成される乱れ層を除去するプロセスを完成させた。表面から光を照射しながら低電圧を印加することにより、光電気化学反応を利用して試料表面から緩やかにエッチングを行った結果、表面から数100nm程度の領域にわたって形成された乱れ層を完全に除去することができた。また、乱れ層の除去後は、孔の開口部が広がったことにより化学物質の孔内部への拡散が促進され、検出感度が増大することを明らかにした。
2. 水素還元力があり様々な機能性分子の修飾に実績のある白金(Pt)微粒子を、電解析出法により孔壁表面へ形成する手法を確立した。Pt微粒子の形成には、多孔質構造と同じ電解セルを用い、電解液には塩化白金酸水溶液を用いた。パルス電圧法を用いることにより、高い表面被服率と高い電位障壁が達成されることを見いだし、孔壁表面の機能化に成功した。
3. pn接合基板上に形成したポーラス構造の光吸収特性および電流-電圧特性の評価により、表面で生成した電子が効率的にポーラス構造上の電極へ収集される機構を明らかにした。これは、化学物質の吸着によりごく少数の電荷(電子)の発生も電流として検出可能であることを示唆する結果であり、高感度化に向け有望な知見を得た。

Current Status of Research Progress
Reason

24年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

24年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (9 results)

All 2013 2012 Other

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (7 results) (of which Invited: 1 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Investigation on Optical Absorption Properties of Electrochemically Formed Porous InP using Photoelectric Conversion Devices2013

    • Author(s)
      Y. Kumazaki, T. Kudo, Z. Yatabe and T. Sato
    • Journal Title

      Applied Surface Science

      Volume: 印刷中 Pages: 印刷中

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価2013

    • Author(s)
      熊崎祐介,渡部晃生, 谷田部然治, 神保亮平, 佐藤威友
    • Organizer
      平成25年春期応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学(神奈川県厚木市)
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] InP多孔質構造孔壁表面の機能化による光電変換素子への応用2013

    • Author(s)
      神保亮平,渡部晃生, 佐藤威友
    • Organizer
      第48回応用物理学会北海道支部/第9回日本光学会北海道地区 合同学術講演会
    • Place of Presentation
      釧路市生涯学習 センター(北海道釧路市)
    • Year and Date
      20130111-20130112
  • [Presentation] High-sensitive ISFETs Based on Semiconductor Porous Nanostructures2012

    • Author(s)
      T. Sato
    • Organizer
      BIT’s 3rd Annual World Congress of NanoMedicine-2012
    • Place of Presentation
      深センコンベンションセンター(深セン、中国)
    • Year and Date
      20121101-20121103
    • Invited
  • [Presentation] Photoelectric-conversion Devices Based on InP Porous Structure2012

    • Author(s)
      T. Sato, R. Jinbo and Z. Yatabe
    • Organizer
      2012 Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science
    • Place of Presentation
      ハワイコンベンションセンター(ホノルル、米国)
    • Year and Date
      20121007-20121012
  • [Presentation] Optical Absorption Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process2012

    • Author(s)
      Y. Kumazaki, T. Kudo, Y. Yatabe and T. Sato
    • Organizer
      2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      国立京都国際会館(京都市左京区)
    • Year and Date
      20120925-20120927
  • [Presentation] ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した半導体加工基板の作製2012

    • Author(s)
      神保亮平,今井雄大、谷田部然治、佐藤威友
    • Organizer
      平成24年秋期第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学(愛媛県松山市)
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] pn接合基板上に形成したInP多孔質構造の光学応答特性の評価2012

    • Author(s)
      熊崎祐介,工藤智人,谷田部然治, 佐藤威友
    • Organizer
      平成24年秋期第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学(愛媛県松山市)
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Remarks] 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター・電気化学グループ

    • URL

      http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~taketomo/ec/index.html

URL: 

Published: 2014-07-24  

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