2010 Fiscal Year Annual Research Report
電子・光機能性を有する有機共役-遷移金属複合系の構築
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21750115
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
福元 博基 東京工業大学, 資源化学研究所, 助教 (70313369)
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| Keywords | 高分子合成 / ナノ材料 / π共役化合物 / 金属錯体 |
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| Research Abstract |
π共役高分子はその骨格上をπ電子が比較的自由に動くことができる"分子導線"としての性質を備えている。遷移金属の酸化還元特性を融合させることによって得られる物質群に特異な電子・光特性を見出すことが期待できる。本研究は、高分子のπ電子系(架橋配位子)とレドックス活性な遷移金属のd電子系を融合した新たな有機π共役-遷移金属複合系の構築を行ない、電子・光機能材料開発へ展開するための機能評価を検討する。
21年度は分子導線としてポリエン(Ar-(CH=CH)n-Ar)誘導体(Ar=2,2-ビピリジル、フェロセニル(Fc)、n=4)の合成を行ない、特にAr=Fcのポリエンではシクロペンタジエニル基を有するルテニウム錯体と反応により、ルテニウム-鉄4核錯体を選択的に与えることも見出した。今年度は、9,9-ジアルキルフルオレンまたはジアルコキシフェニレンとキレート部位であるシッフ塩基を主鎖骨格に含むπ共役高分子の合成と、それらの様々な遷移金属との錯形成反応を試みた。例えば、ニッケル(II)との反応によって得られた有機π共役-遷移金属複合系の電気化学的測定を行ったところ、酸化(ca.1.0V vs.Ag^+/Ag)側に掃引した時に430nmに現れていたピーク強度が減少し、新たに600-700nmの吸収ピーク強度が増加し、エレクトロクロミズムが観測された。
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