2010 Fiscal Year Annual Research Report
極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発
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21760233
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| Research Institution | Kanazawa University |
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Principal Investigator |
川江 健 金沢大学, 電子情報学系, 講師 (30401897)
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| Keywords | ダイヤモンド / 非鉛強誘電体 / ワイドギャップ半導体 / BiFeO3 / 強誘電体メモリ |
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| Research Abstract |
本研究経費支援の下、BFOとダイヤモンドを用いた1Tr-1C型FeRAMにおけるメモリセルキャパシタ構造の開発に取り組み、表面平坦性と導電性を向上させたボロン添加ダイヤモンド上にBFO薄膜を堆積し、BFOの単相・結晶化と同時に、当該構造を用いたキャパシタデバイスにおける良好な強誘電性を確認した。
また、形成されたキャパシタデバイスの強誘電性・動作温度範囲の向上を目指し、プロセス最適化を中心に取り組んでおり、現在までに動作温度150℃における良好な強誘電特性の観測に成功している(図4、2011年春季応用物理学関係連合講演会24a-BE-7)。ここで、図中の温度上昇に伴う分極値の増加に関して、残留分極値の活性化エネルギの導出より、BFO分極ドメインに対するピニングサイトが大きく影響を与えているものと推察している。
以上の研究遂行により、当該材料を用いたデバイス動作・開発に関して本申請課題が提案する同材料系を用いた革新的1Tr型FeRAMデバイス創成について、今後さらなる発展が期待出来る成果が得られた。
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