2009 Fiscal Year Annual Research Report
Si-MEMS構造とモノリシックに集積した窒化物光電子デバイスの製作と特性
| Project/Area Number |
21760244
|
|---|
| Research Institution | Tohoku University |
|---|
Principal Investigator |
胡 芳仁 Tohoku University, 大学院・工学研究科, 助教 (50396545)
|
|---|
| Keywords | Si-MEMS / 光電子デバイス / 窒化物半導体 |
|---|
| Research Abstract |
AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)構造を用いて,高温環境下でも動作する圧力センサの研究を行った。デバイス製作のため,まず電極の形成方法の研究を行い,オーミック接触およびショットキー接触をn-GaN上に形成することができた。オーミック接触は抵抗値が大きく線形性もやや悪かったが,双方向で同じような電圧電流特性が得られた。CTLM(Circular Transfer Length Method)によってオーミック接触の接触抵抗を測定した。電極の接触抵抗ρc=4.3×10^<-2>Ωcm^2が得られた。これはアニールの最適条件が見つけられなかったためであると思われる。
オーミック接触およびショットキー接触,ならびにHfO_2ゲート絶縁膜を用いてAlGaN/GaN HEMTを製作し特性を評価した。ゲート絶縁膜に欠陥が入ってしまったためリーク電流が発生してしまったが,ノーマリーオンのトランジスタとして動作することが確認できた。
AlGaN/GaN HEMTを利用した抵抗型および静電容量型の圧力センサを製作した。抵抗型では微小な変化であったが,静電容量型では比較的大きな変化が得られた。静電容量の最大変化はバイアス電圧-1V付近でおよそ70pFであった。
今後の課題としては,HfO_2のゲート絶縁膜を欠陥無く堆積したHEMTならびに静電容量型圧力センサを製作して評価し,AlN(GaN)共振器構造上のAlGaN/GaN HEMTのSiマイクロマシニングプロセスを用いたデザインを製作したい。
|
