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2009 Fiscal Year Annual Research Report

高温動作・高感度ダイヤモンドマイクロマシン応力センサーの開発

Research Project

Project/Area Number 21760267
Research InstitutionNational Institute for Materials Science

Principal Investigator

廖 梅勇  National Institute for Materials Science, センサ材料センター, 主任研究員 (70528950)

Keywordsダイヤモンド / マイクロマシン / 応力センサ / 金属-圧電体-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ
Research Abstract

近年、高温などの過酷な環境において安定して動作する圧力センサーが求められている。既存の金属を用いた圧力センサーやシリコンを用いたマイクロ電気機械システム(MEMS)センサーは、感度が悪い、温度に対して特性が大きく変化する、更に電力消費量が大きいなどの欠点がある。ダイヤモンドは、ワイドバンドギャップであり、高熱伝導率、更には熱的・機械的・化学的にも安定であるため、これらの欠点を克服できる材料であると考えられる。そのために、p型ダイヤモンドを基本とした金属-圧電体-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MPIS-FET)圧力センサー構造を提案する。
平成21年度では、様々な絶縁体薄膜(A1_2O_3,CaF_2)を用いた、ダイヤモンド基板上に圧電体Pb(Zr_<0.52>,Ti_<0.48>)O_3(PZT)薄膜の成長を実現させた。絶縁体薄膜とPZT結晶成長方向、残留分極電荷の関係を明らかにする.CaF_2上に成長されたPZT薄膜は、(100)優先配向があり、Al_2O_3よりほぼ2倍の極めて大きな残留分極電荷(68μC/cm^2)を持つという優れた特性を有する。また、各成膜の構造およびMPISキャパシタの電気特性の評価、MPIS-FET圧力センサーのデバイス構造最適化を行った。来年、MPIS-FET MEMS圧力センサー応用は開けると期待させる。

  • Research Products

    (7 results)

All 2010 2009

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (2 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Journal Article] Improved ferroelectric properties of Pb(Zr_<0.52>, Ti_<0.48>)thin film on single crystal diamond using CaF_2 layer2010

    • Author(s)
      M.Y.Liao, K.Nakajima, M.Imura, Y.Koide
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 96

      Pages: 012910

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Piezoelectric Pb(Zr_<0.52> Ti_<0.58>)O_3 thin film on single crystal diamond : structural, electric, dielectric, and field effect transistor properties2010

    • Author(s)
      M.Y.Liao, Y.Gotoh, T.Tsuji, K.Nakajima, M.Imura, Y.Koide
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics 107

      Pages: 024101

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Integration of Pb(Zr_<0.52>Ti_<0.48>)O_3 on single crystal diamond as metal-insulator-ferroelectric-semiconductor capacitor2009

    • Author(s)
      M.Y.Liao, M.Imura, X.S.Fang, K.Nakajima, G.C.Chen, Y.Koide
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 94

      Pages: 242901

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 単結晶ダイヤモンド上の強誘電体PZT薄膜の堆積2010

    • Author(s)
      M.Y.Liao
    • Organizer
      応用物理学会
    • Place of Presentation
      東海大学
    • Year and Date
      2010-03-18
  • [Presentation] ダイヤモンド/PZT接合を用いた金属-強誘電体-絶縁体-半導体キャパシタの作製及びデバイス特性2010

    • Author(s)
      M.Y.Liao
    • Organizer
      応用物理学会
    • Place of Presentation
      東海大学
    • Year and Date
      2010-03-18
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 単結晶ダイヤモンド・エァギャップ構造体及びその作製方法2010

    • Inventor(s)
      彦梅勇, 小出康夫, 菱田俊一
    • Industrial Property Rights Holder
      物質材料研究機構
    • Industrial Property Number
      特許、特願2010-035602
    • Filing Date
      2010-02-22
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 単結晶ダイヤモンド上にPZT薄膜を形成する方法、PZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンド、お及びPZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンドを使用したキャパシタ2009

    • Inventor(s)
      彦梅勇, 小出康夫
    • Industrial Property Rights Holder
      物質材料研究機構
    • Industrial Property Number
      特許、特願2009-265854
    • Filing Date
      2009-11-24

URL: 

Published: 2011-06-16   Modified: 2016-04-21  

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