2022 Fiscal Year Annual Research Report
窒化物半導体・超伝導体融合素子作製のための基盤技術構築
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21H01827
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任准教授 (20470114)
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| Project Period (FY) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| Keywords | 窒化物超伝導体 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本年度は、AlN基板上に成長させた窒化物超伝導体NbNの結晶構造の制御に取り組んだ。基板温度800℃ではNbNは岩塩型に結晶化し、AlN上にδ-NbN(111)がエピタキシャル成長したが、成長温度の上昇に伴い、結晶構造がε(六方晶)、γ(正方晶)と変化することが分かった。さらに、1220℃では六方晶β型がエピタキシャル成長することも明らかになった。逆格子マップ測定を行ったところ、β-Nb2Nのa軸長がAlNのa軸長に一致しており、β-Nb2Nがコヒーレント成長していることを確認した。HAADF-STEM観察では、β-Nb2Nのc面の積層順序がAlNと一致しており、安定な界面が形成されていることが分かった。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
本研究の目的である超伝導体/半導体融合素子の基盤技術となる、窒化物超伝導体の結晶構造制御技術を確立することができた。
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| Strategy for Future Research Activity |
次年度は、本年度に確立した窒化物超伝導体の結晶構造制御技術を活用し、超伝導体/半導体ヘテロ接合の作製と、物性評価に取り組む。
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