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2021 Fiscal Year Annual Research Report

高圧高温熱処理による高品質インジウム系窒化物半導体の創製と熱電素子応用

Research Project

Project/Area Number 21H01831
Research InstitutionRitsumeikan University

Principal Investigator

荒木 努  立命館大学, 理工学部, 教授 (20312126)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 毛利 真一郎  立命館大学, 理工学部, 准教授 (60516037)
Project Period (FY) 2021-04-01 – 2024-03-31
Keywords半導体 / 結晶成長 / 分子線エピタキシー / 窒化インジウム
Outline of Annual Research Achievements

本研究課題の目的は、RF-MBE法を用いて作成したInN結晶を高温・高圧熱処理によって、さらなる結晶品質の改善を実現し、そのメカニズム構築とデバイス応用へ向けた基盤技術を開発することにある。課題1年目の本年度は、試験的に高温・高圧熱処理を行うためのInN結晶の作成に注力し、成長条件の最適化に努めた。
本年度は、RF-MBE法を用いたInN成長において、DERI法による結晶成長への成長条件の影響を検討した。特に、これまでDERI法を用いたInN成長においてはあまり検討されてこなかった成長温度、プラズマパワー、膜厚について検討を行い、これらのパラメーターを最適化して、高温・高圧熱処理に最適なInN結晶成長を目指した。
まずDERI法を用いて400℃~460℃の範囲で成長温度の異なるInN成長を行い、表面モフォロジー、結晶性、電気的特性評価による比較を行った。その結果、DERI法用いたInN成長においても、従来のGaNテンプレート上InN成長とほぼ同様に、430℃以上ではInNの分解が始まるため、410~420℃が結晶成長に最適な温度であることを示した。
次にInNの高温成長の可能性を探るため、より高温(450℃)での結晶成長を行い、プラズマパワー(80 W、100 W、200 W)と成長時間(0.5 h~8 h)の変化が、InNの結晶性、電気的特性に及ぼす影響を検討した。いずれのプラズマパワーを用いたInN成長においても、成長時間(膜厚)の増加に伴い、キャリア濃度は減少、移動度は増加し、電気的特性の改善が得られ、基板界面付近での欠陥の影響が大きいことが明らかとなった。また高温成長(450℃)においても、高いプラズマパワーを用いて厚膜成長することで表面荒れを抑え、比較的良好(キャリア濃度2×1018/cm3、移動度1600cm2/Vs)な電気的特性を得ることができた。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

RF-MBE法を用いたInN結晶成長条件については、これまで申請者らが開発したDERI法の成長条件を今年度の検討によりより最適化することができた。次年度以降の高温・高圧熱処理に必要なInN結晶を効率よくかつ再現性よく得るための準備が整っている。一方で、高温・高圧熱処理については、山口県宇部市の超高温材料研究センターにて、打合せや試験的処理を進める予定であったが新型コロナウイルス感染拡大の時期と重なり2年目以降に延期して実施することとした。

Strategy for Future Research Activity

2年目においては、RF-MBE法を用いて作成したInN結晶に対して、実際に高温・高圧熱処理を施し、その効果を確認することを最重要の目標とする。高温・高圧熱処理については、計画書に記載の超高温材料研究センター(山口県宇部市)にて実施する予定であるが、委託費用や実験サンプルサイズ、スケジュールなどを考慮すると条件を試行錯誤しながら多くの実験を実施することは困難である。そこでまずは試験的な熱処理実験を量子科学技術研究開発機構SPring8内のビームラインにて、InNの高温・高圧熱処理を実施する予定である。この結果をふまえて、超高温材料研究センターで実施する熱処理の条件(圧力、温度、時間)を検討し、効率的に実験を行えるように計画する。熱処理後のInN結晶については、透過電子顕微鏡を用いた極微構造解析を中心に、構造変化、結晶性、電気的特性に表れる変化を観察する。

  • Research Products

    (9 results)

All 2022 2021

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results,  Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Repeatability and Mechanisms of Threading Dislocation Reduction in InN Film Grown with In Situ Surface Modification by Radical Beam Irradiation2021

    • Author(s)
      T. Araki, F. Abas, R. Fujita and S. Mouri
    • Journal Title

      材料

      Volume: 70 Pages: 732-737

    • DOI

      10.2472/jsms.70.732

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Microstructural Characterization of Nitride Semiconductor Films Grown on ScAlMgO4 Substrate by RF-MBE2022

    • Author(s)
      Y. Wada, Y. Kuroda, S. Kayamoto, N. Goto, T. Fuji, S. Mouri, Y. Shiraishi, T. Fukuda and T. Araki
    • Organizer
      14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma 2022)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Growth of Ultra-Thin GaN/AlN Superlattice Structure toward Deep-UV Emission2022

    • Author(s)
      N. Mokutani, Y. Wada, S. Mouri, K. Shojiki, S. Xiao, H. Miyake and T. Araki
    • Organizer
      14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma 2022)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] DERI法を用いたInN結晶成長の成長温度依存性に関する研究2021

    • Author(s)
      張 同舟, 後藤 直樹, 毛利 真一郎, 荒木 努
    • Organizer
      2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] RF-MBE法を用いたScAlMgO4基板上InGaNエピタキシャル成長Ⅱ2021

    • Author(s)
      後藤直樹, 栢本聖也, 黒田悠弥, 和田邑一, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石佑児, 福田承生, 荒木努
    • Organizer
      2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] RF-MBE法による極薄GaN/AlN超格子構造の作製2021

    • Author(s)
      杢谷 直哉, 和田 邑一, 毛利 真一郎, 正直 花奈子, 三宅 秀人, 荒木 努
    • Organizer
      2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] RF-MBE法を用いたN極性AlNテンプレート基板上InN結晶成長2021

    • Author(s)
      篠田 悠平, 福田 安莉, 橘 秀紀, 毛利 真一郎, 正直 花奈子, 三宅 秀人, 荒木 努
    • Organizer
      2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] AlNテンプレート基板上にRF-MBE法で成長したInNの発光特性2021

    • Author(s)
      中山 大輝, 毛利真一郎, 福田安莉, 高林佑介, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努
    • Organizer
      2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] ScAlMgO4基板上窒化物半導体結晶RF-MBE 成長の最近の進展2021

    • Author(s)
      荒木努
    • Organizer
      第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会
    • Invited

URL: 

Published: 2022-12-28  

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