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2023 Fiscal Year Annual Research Report

Emergent functions of transition-metal oxides with low valence and metastable structures

Research Project

Project/Area Number 21H02026
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

大友 明  東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (10344722)

Project Period (FY) 2021-04-01 – 2024-03-31
Keywords薄膜電子材料 / エピタキシー / 電気化学 / 超伝導材料・素子 / トポケミカル反応
Outline of Annual Research Achievements

本年度は,薄膜試料の合成と基礎物性の評価に注力し,溶液中の酸化還元反応によって前周期遷移金属酸化物の準安定相が得られる合成条件の範囲を明らかにすることを目的とした。パルスレーザ堆積法により,種々の基板上にLiNbO2やLiV2O4などの薄膜をエピタキシャル成長することにより,原料ターゲット中の過剰リチウム量や薄膜合成中のガス種・圧力が,得られた薄膜の組成,結晶構造,表面形状に対してどのように影響するか詳しく調べた。また,得られた薄膜を種々の溶液や電解質に浸漬し,リチウムをトポタクティックに脱離・挿入させる酸化還元反応の条件を検討した。LiNbO2に対して,高温の濃硝酸を用いると,薄膜中のリチウムをほぼ完全に取り除いたNbO2相が得られた。この結晶相は、p型透明導電性と超伝導を示すLi1-xNbO2の母相と考えられ,構造的に現在注目を集めている二次元物質MoS2と同じであることから,その基礎物性には興味が持たれる。LiV2O4薄膜については,電気化学セルを用いてリチウムを挿入し,極低温下における抵抗率の温度依存性を測定した。温度の二乗に比例して抵抗率が変化するフェルミ液体理論のモデルに従って電子相関の強さを解析した。その結果,リチウム組成の増加とともに電子相関の度合いが増加し,Li+xV2O4がこれまでに知られている遷移金属酸化物の中では最大の電子相関を示すことを明らかにした。このことはバルク体を用いた先行研究では明らかにされておらず,エピタキシャル成長した薄膜状の試料と電気化学セルを用いて初めて明らかにされた成果である。

Research Progress Status

令和5年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

令和5年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (14 results)

All 2024 2023

All Presentation (14 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results,  Invited: 1 results)

  • [Presentation] Cu(II)原料を用いたパルスレーザ堆積法によるCuFeO2薄膜の作製2024

    • Author(s)
      木下 裕貴,相馬 拓人,吉松 公平,大友 明
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] (ScxGa1-x)2O3薄膜の偏光反射分光とバンド端構造の異方性2024

    • Author(s)
      是石 和樹,尾沼 猛儀,相馬 拓人,大友 明
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Fabrication of Zirconium Nitride Hydride Epitaxial Films by Alternating-Target Pulsed-Laser Deposition2023

    • Author(s)
      Daichi Miyazaki, Ziyang Cao, Takuto Soma, Akira Ohtomo
    • Organizer
      Material Research Meeting 2023 (MRM2023)/International Union of Materials Research Societies-International Conference in Asia (IUMRS-ICA)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Epitaxial Growth of Ultrawide Bandgap β-(ScxGa1-x)2O3 Films on β-Ga2O3 (100) Substrate by Pulsed-Laser Deposition2023

    • Author(s)
      Kazuki Koreishi, Takuto Soma, Akira Ohtomo
    • Organizer
      Material Research Meeting 2023 (MRM2023)/International Union of Materials Research Societies-International Conference in Asia (IUMRS-ICA)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Strongly correlated superconductivity in two-dimensional 2H-NbO2 layers2023

    • Author(s)
      Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo
    • Organizer
      The 4th Workshop on Functional Materials Science (FMS2023)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Emergent properties of transition‐metal oxides with low valence and metastable structures2023

    • Author(s)
      Akira Ohtomo
    • Organizer
      The 4th Workshop on Functional Materials Science (FMS2023)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] 歪みLaxSr1-xVO3薄膜における非Fermi液体的挙動と反強磁性Mott転移2023

    • Author(s)
      小川 茉白,相馬 拓人,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 二次元MoO3/三次元WO3エピタキシャル積層膜の作製とLi挿入挙動2023

    • Author(s)
      細川 紳,相馬 拓人,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 異常高原子価ダブルペロブスカイト型LaSrFeNiO6薄膜の合成2023

    • Author(s)
      本田 裕貴,相馬 拓人,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] van der Waals酸化物2H-NbO2: ハーフフィルドMott絶縁体2023

    • Author(s)
      相馬 拓人,佐藤 礼,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] ターゲット交互積層法によるZrNxHy薄膜の作製と金属-絶縁体転移2023

    • Author(s)
      宮崎 大地,相馬 拓人,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 強磁性Fe4N/超伝導NbN接合における超伝導特性と近接効果2023

    • Author(s)
      吉田 悠真,相馬 拓人,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 面内圧縮歪みを有するβ-(ScxGa1-x)2O3 薄膜のエピタキシャル成長2023

    • Author(s)
      是石 和樹,相馬 拓人,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] β-(ScxGa1-x)2O3薄膜の電子状態およびバンドオフセット評価2023

    • Author(s)
      是石 和樹,相馬 拓人,組頭 広志,大友 明
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会

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Published: 2024-12-25  

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