ナノflexoelectricityの解明とbucklingメモリ素子の創製

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04534
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 18:Mechanics of materials, production engineering, design engineering, and related fields
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: Sumigawa Takashi 京都大学, エネルギー科学研究科, 教授 (80403989)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 島 弘幸 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (40312392) ; 梅野 宜崇 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (40314231) ; 安部 正高 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (50582623) ; 服部 梓 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (80464238)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2024-03-31

Summary of the Research Project

ひずみ勾配が生じた強誘電体は、ひずみ勾配と電気分極の間の機械的電気結合効果（フレクソエレクトリック効果）を示すことが知られている。本研究では、ナノレベルでひずみ勾配を制御した力学試験による現象評価と、力学理論の構築による現象解明、さらに、機構の飛び移り座屈を利用したナノ構造の強誘電体メカニカルメモリの実現を目指している。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

ひずみ勾配が生じた強誘電体に現れるフレクソエレクトリック効果は、材料寸法がナノスケールまで小さくなると、効果の急拡大と自由表面での反電場の影響によって支配的且つ特有の特性の発現が予測されており、ナノテクノロジー分野での応用が期待されている。しかしながら、未だ理解途上のメカニズムである。本研究により、学理としての整理が期待される。