メタエレクトロニクスによる電子光融合デバイスの創生

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04552
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: Suzuki Safumi 東京工業大学, 工学院, 准教授 (40550471)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2024-03-31

Summary of the Research Project

「共鳴トンネルダイオード(RTD)の微分負性抵抗を用いたTHz発振器の開発」をベースにしたメタエレクトロニクスによる電子・光融合デバイスの創生の提案である。本研究では点の電子デバイスを面に拡張ができるかについて、非共振メタ表面の動作、および、デバイスへの応用可能性を研究しながら明らかにし、新たなメタエレクトロニクスという研究・学術分野を切り開くと共に、電子・光融合デバイスの創生を行う。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

共鳴トンネルダイオードと分布ブラッグ反射器で二次元アレイを構成し、広がりを持つ電子デバイスを実現しようとする挑戦的なテーマ設定である。これまでのメタマテリアルの発想を転換し、電磁波から見たときの電子デバイスのサイズの違いを克服するためのメタマテリアルは、電磁波との強い相互作用が期待でき、新たなデバイス変容が期待できるだけでなく、新たな学術領域の創成が期待できる。