2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明

Research Project

Project/Area Number	21H04553
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	Matsushita Yu-ichiro 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 (90762336)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	藤ノ木享英 (梅田享英) 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (10361354) 大島武国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所量子機能創製研究センター, センター長 (50354949) 吉岡裕典国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60712528) 土方泰斗埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (70322021) 押山淳名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任教授 (80143361)
Project Period (FY)	2021-04-05 – 2024-03-31
Summary of the Research Project	SiCパワーデバイス性能の向上に向けては、SiC/SiO2界面部分の詳細な界面欠陥形成機構とその電子状態の解明が重要であり、本研究計画では真の界面欠陥の理解をするために第一原理計算を用いた界面欠陥の高精度な電子状態計算を実施する。また、表面・界面における欠陥の計算精度の確保に向けて高精度な電子状態計算法の開発についても実施する。
Scientific Significance and Expected Research Achievements	本研究は、従前の界面欠陥構造の理論計算アプローチでは正しく捉えきることができなかった、真の界面欠陥の理解をするための界面欠陥の高精度な電子状態計算法を導入している点、およびSiC-MOS界面の理論計算結果を界面処理にかかる実験と直接比較を行うことにより界面欠陥・電子正孔特性との相互関係を調査・解析する研究計画が立案されており、今後の発展が期待できる。