極微小深紫外半導体レーザダイオードの高出力化と新世代製造システム

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04560
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 久志本 真希 名古屋大学, 工学研究科, 講師 (50779551)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 笹岡 千秋 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任教授 (30870381) ; 五十嵐 信行 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (40771100)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2026-03-31

Summary of the Research Project

深紫外LDの低閾値化および高出力化を検討し、従来の深紫外レーザ光源を代替する小型で低コストの加工用光源の実現に挑戦する。具体的な検討内容として、結晶品質の向上、AlGaN発光層の有する偏光特性と、深紫外LD実現の鍵となった不純物無添加型分極ドーピング(UID-DPD)クラッド層がデバイス特性に与える影響に着目し、新たな構造の深紫外LDの創出を目指す。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

深紫外半導体レーザの電流注入発振は、高いAl組成のAlGaNへのホールドーピングの困難によって阻まれていたが、結晶品質の向上、AlGaN発光層の偏光特性とともに不純物無添加型分極ドーピング（UID-DPD）クラッド層の導入というブレークスルーによって新たな展開を迎えている。応用面で期待されるUV-C波長における極微小深紫外半導体LDの高出力化を進めようとする応募者の強い意欲は高く評価できる。