学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04563
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 木本 恒暢 京都大学, 工学研究科, 教授 (80225078)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 金子 光顕 京都大学, 工学研究科, 助教 (60842896)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2022-03-31

Summary of the Research Project

SiCは有望な材料であるが、高密度の欠陥が生じることが避け難く、そのポテンシャルを十分に引き出すことは困難であった。本研究は、応募者らが開発した独自手法によって界面欠陥密度を桁違いに低減することで、過酷な環境下でも安定した動作を可能とする「ロバストエレクトロニクス」の開拓を目指す挑戦的な試みである。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

過酷な環境下でも安定した動作を可能とする「ロバストエレクトロニクス」の創成に必要となる新たな学理の構築が期待される。研究計画はよく練られており、成果が社会に与えるインパクトも大きいと期待できる。