次世代新メモリに向けたディスプレイシブ相転移型多形半導体の開拓

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04604
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 須藤 祐司 東北大学, 工学研究科, 教授 (80375196)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 山本 卓也 東北大学, 工学研究科, 助教 (10804172) ; 齊藤 雄太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50738052)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2022-03-31

Summary of the Research Project

本研究では、MnTeをはじめとする結晶多形転移を有する物質の薄膜メモリ材料への応用の可能性を検証することが目的とされている。多形相転移における熱歪みの解析と相転移への影響や、電子状態や電気物性と導電機構の解明、メモリ動作特性評価、および新規結晶多形メモリ用物質の探索と材料設計指針の検証が計画されている。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

従来のアモルファス-結晶相相転移型メモリにおける相変化に必要な高動作電力や耐熱性、相変化に伴う体積変化による耐久性などの問題に対し、これらを解決する新たな原理として提示されたアモルファス相を介さない「結晶多形メモリ」という独創的で独自性の高い着想が高く評価される。新たな記憶媒体の実現が期待される。