Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04642
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 深田 直樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 副センター長 (90302207)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): J. Wipakorn 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主任研究員 (40748216) ; 宮崎 剛 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, グループリーダー (50354147) ; 本久 順一 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60212263) ; 冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究院, 准教授 (60519411) ; 松村 亮 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主任研究員 (90806358)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2025-03-31

Summary of the Research Project

従来の微細化だけでトランジスタ性能を向上させるには限界があるため、本研究ではGeSnから形成される特殊なコアシェルヘテロ接合による高電子移動度型トランジスタ（HEMT）構造を1次元ナノワイヤ内部に構築したデバイスを実現する。さらに、本研究では実験とともに、実デバイスサイズでの大規模第一原理計算による構造設計とデバイス性能向上を狙う。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

本研究では、縦型ナノワイヤデバイスの形成プロセス技術とデバイス性能予測の計算技術において独自性と優位性があり、学術的に興味深いだけでなく、産業的にも大きく貢献すると考えられる。つまり、本研究はトランジスタの発熱低減や集積化につながる技術であるため、低消費電力に対する社会ニーズに応える波及効果が期待できる。