界面構造制御による高急峻スイッチング有機半導体の開発

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04651
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 長谷川 達生 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (00242016)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 井上 悟 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (00799562) ; 東野 寿樹 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (30761324)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2025-03-31

Summary of the Research Project

有機半導体のデバイス応用に際して重要な溶液プロセスの開発によって印刷や塗布技術への展開を目指し、様々なデバイス応用学理を追求していく研究である。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

一般的に言って有機半導体は無機半導体に比べて性能が劣る。分子設計と精緻な塗布技術により、キャリアが伝導する絶縁層上だけでなく、キャリア注入がおこる電極との界面においても配列し、それぞれキャリア輸送とキャリア注入を効率的に行える系の指針を確立しようとする、基礎学理においても応用上も重要なものである。