その場観察法による各種半導体材料の固液界面不安定化現象の解明と高温物性値の決定

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04658
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 藤原 航三 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (70332517)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 前田 健作 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40634564)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2025-03-31

Summary of the Research Project

現代の高度情報化社会の根幹を支える半導体は、千度を超える高温の融液からの結晶成長により得られる。本研究は、各種半導体のバルク単結晶／多結晶の成長過程のその場観察により、固液界面の不安定化現象の発現機構を含む、高温の融液からの結晶成長に関わる諸現象を総合的に理解し、低欠陥化等の半導体結晶の高品質化に資することを目的とする。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

本研究は、バルク結晶の高品質化という一見地味ながらきわめて重要度の高い基盤的な目標を掲げる。高温の融液からの結晶化過程を、独自のその場観察手法を用いて迫ろうとする試みは独創的であり、結晶欠陥などの各種の結晶組織の生成過程など、これまで不明であった高温下における固液界面ダイナミクスを解明し、これらの高精度な制御によって半導体結晶の高品質化に大きく資することが期待される。