InリッチInGaNによるScAlMgO4基板上での可視長波長LEDの実現

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04661
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 石井 良太 京都大学, 工学研究科, 助教 (60737047)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2025-03-31

Summary of the Research Project

本研究は、日本が世界をリードする窒化物半導体LEDの研究に関し、その重要課題である長波長可視領域の発光の高効率化を目的とする。そのために理想的な結晶成長基板としてScAlMgO4基板に着目し、これに格子整合したInGaN層のコヒーレント成長の実現を鍵として、緑色から赤色域で高効率発光するLEDの開発を目指している。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

青色から赤色に至るバンドギャップの幅広い制御のため、非混和性の大きいInNとGaNの混晶半導体のコヒーレント成長を材料基板上への格子整合を通して実現しようとする試みは独創的であり、半導体結晶学の観点からインパクトがある。さらに本研究の進展により、次世代マイクロディスプレイや高演色性白色照明の実現が期待される。