超低電力ニューロモルフィックハードウェア基盤技術のブレークスルー

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21H04887
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 61:Human informatics and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 河野 崇 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (90447350)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小林 正治 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (40740147)
• Project Period (FY): 2021-04-05 – 2024-03-31

Summary of the Research Project

本研究の目的は、超低電力ニューロモルフィックハードウェア基盤技術による次世代AIの実現可能性を示すことである。最先端不揮発性メモリ技術と超低電圧化アナログ回路技術、物理ノイズを活用するニューロモルフィック情報処理モデルを融合的に開発することで、超低電力アナログシリコン神経ネットワーク技術を実現しようとする研究である。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

脳との互換性を達成するために、超低電力化と大規模化の両立が難しいという実装上の課題、脳の情報処理モデルに関する神経スパイクレベルの理論に関する課題の解決を目指す。現存する産業レベルの技術動向の中で本研究の位置付けが明確であり、研究課題の遂行によって神経科学、AI分野を中心に学術・産業社会などへの波及効果が期待できる。