Oxide semiconductor film growth by combined pulsed laser deposition

2023 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 21K03523
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 14030:Applied plasma science-related
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: IBANO KENZO 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (80647470)
• Project Period (FY): 2021-04-01 – 2024-03-31
• Keywords: プラズマプロセス / 酸化物半導体 / パルスレーザー / 薄膜

Outline of Final Research Achievements

Using ECR plasma as a background, the transport and deposition of tungsten particles during ablation in composite PLD were confirmed. Additionally, the use of oxygen plasma led to the formation of tungsten oxide thin films, demonstrating that deposition with chemical reactions is possible. A composite PLD system with a magnetron plasma source was also established, successfully fabricating LiCoO3 thin films and demonstrating the effect of oxygen plasma in reducing oxygen vacancies.

Free Research Field

プラズマ理工学

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

本研究は、PLDプロセスにおいて背景プラズマを用いた場合の影響を明確にし、酸化物薄膜の組成制御が可能であることを実証した。これにより、酸化物半導体など高機能材料の開発に対する新たなアプローチが提供された。特に、高性能リチウムイオン電池の電極材料開発において、本技術は重要な貢献を果たす可能性がある。