2023 Fiscal Year Annual Research Report
高活性・高選択的な遷移金属触媒反応を実現するジホスフェン配位子の開発
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21K05071
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| Research Institution | Osaka Metropolitan University |
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Principal Investigator |
津留崎 陽大 大阪公立大学, 大学院理学研究科, 准教授 (40623848)
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| Project Period (FY) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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| Keywords | ジホスフェン / 遷移金属錯体 / ホスフィンボラン / ロジウム / 配位子交換 / リン |
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| Outline of Annual Research Achievements |
リン－リン二重結合化合物であるジホスフェンはπ*軌道に由来した低いLUMOを有するため、電子受容性の配位子としての利用が期待される。本研究期間において、光学活性なビナフチル置換ジホスフェン-金(I)錯体を用いた分子内ヒドロアリール化反応などの触媒反応の検討(前年度)、エチレン架橋ビス(ビナフチルジホスフェン)の合成とそのパラジウム(II)錯体の合成を行ってきた(初年度)。
今年度は、新たな配位点となりうるホスフィンボラン部位を有するジホスフェン1の合成を実施した。ジホスフェン1はトルエンから6ステップで合成した。一方、脱ボランによるホスフィン－ジホスフェン配位子の合成も検討したが、標的化合物を得ることはできなかった。得られた配位子1とカチオン性のビス(シクロオクタジエン)ロジウム(I)との反応により、対応するロジウム錯体2を得ることに成功した。X線結晶構造解析により、ジホスフェン上のリン原子の非共有電子対とBH3による二座配位錯体であることが分かった。錯体2を用いてベンズイミダゾールとシクロヘキシルアレンのカップリング反応を検討したところ、35％の収率で付加体を得た。また、さまざまな触媒反応を検討していたところ、ジホスフェン配位子1の解離が確認できたため、各種Nドナー配位子との反応によりロジウム錯体におけるジホスフェン1の配位力を調べることにした。ジホスフェン－ロジウム錯体2とN-メチルピロリジン、トリエチルアミンを作用させたところ、定量的にジホスフェン1が生じた。一方、ピリジンとの反応では、ジホスフェン1、錯体2、ピリジン、ロジウムピリジン錯体との平衡混合物となった。この結果から、ジホスフェン－ホスフィンボラン二座配位子のロジウムへの配位力はピリジンと同程度であることが分かった。
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