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2022 Fiscal Year Research-status Report

第一原理計算によるダブルペロブスカイト型光触媒の研究

Research Project

Project/Area Number 21K05140
Research InstitutionIwate University

Principal Investigator

西館 数芽  岩手大学, 理工学部, 教授 (90250638)

Project Period (FY) 2021-04-01 – 2024-03-31
Keywords光触媒 / ダブルペロブスカイト / 第一原理計算 / 表面電子状態
Outline of Annual Research Achievements

本研究課題では,酸化チタンに代わる光触媒物質として有望な可視光応答型ダブルペロブスカイト半導体を対象に,その結晶構造と特異な電子構造を第一原理電子構造計算によって探る。光触媒反応は太陽エネルギーを直接化学エネルギーである水素に変換する反応であり,最もクリーンな水素製造技術となる可能性を秘めている。しかしながら酸化チタンのバンドギャップは紫外光領域にのみ感度があり,他の波長領域の光は吸収できない。また生成された電子・正孔対は再結合の確率が高く,表面における酸化還元反応に寄与するのは限られている。そのため酸化チタンに代わる光触媒が盛んに探索されている。本研究の目的とは可視光に感度のあるダブルペロブスカイト酸化物半導体を探索物質群に設定し,電子構造の設計,混合原子価型元素の選択的置換,表面構造の設計の3つの観点から光触媒特性の機構解明と機能向上に対する指針を得ることである。
本年度はBサイトの元素置換がダブルペロブスカイトの電子状態へ及ぼす影響をHSEハイブリッド汎関数を用いた第一原理電子構造計算により見積もった。バンド計算のセルにC2/m構造の標準セッティングを用い,1セルあたり2ユニットのBaBi^(III)Bi^(IV)O6を含むスーパーセルを構築した。この系には5価のBi(Bi^(IV))が2個含まれる。これを1個ずつSb^(IV)と置換することによりバンド構造が変調され,ギャップが徐々に開いていく様子が確認された。バンドギャップが開くことは実験的にも確認されており,妥当な計算結果と言える。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

3: Progress in research has been slightly delayed.

Reason

今年度は特に実験サイドからの要請により,元素置換によるバンド構造の変調を集中的に調べた。また表面スラブのバンド計算であるが,HSE06ハイブリッド汎関数においては通常のPAWポテンシャルよりもノルム保存の擬ポテンシャルの方が遙かに収束性が高いことがわかった。その他,仕事関数の見積もりも終了している。しかしながら格子欠陥系の計算の収束性に問題があるため,計算法の工夫を試みている。

Strategy for Future Research Activity

収束性が高いノルム保存の擬ポテンシャルによるHSE06ハイブリッド汎関数の電子構造計算を進める。スラブ系の計算の結果,間接バンドギャップの値は,ほぼ実験値(1 eV)に近い値となった。今後より現実的な条件を用いて計算の精度を高めていく。

Causes of Carryover

本年度,参加予定の春の物理学会がオンライン開催となったため旅費にあまりが生じた。ノルム保存の擬ポテンシャルによる計算はかなり収束性が良いため,それに対応した小規模ながら小回りの効く計算環境を構築したため使用額が抑えられた。次年度は使用予定額を用いて計算規模を拡大する。

  • Research Products

    (8 results)

All 2023 2022

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (6 results)

  • [Journal Article] Gap opening at the Dirac point of graphene on Cu(111): Hybridization versus sublattice symmetry breaking2023

    • Author(s)
      Nishidate Kazume、Matsukawa Michiaki、Hasegawa Masayuki
    • Journal Title

      Surface Science

      Volume: 728 Pages: 122196~122196

    • DOI

      10.1016/j.susc.2022.122196

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Enhanced photocatalytic activities under visible light of double-perovskite oxide semiconductor Ba2Tb(Bi, Sb)O6 with mixed-valence2023

    • Author(s)
      D. C. Roy, M. Matsukawa, T. Yonai, M. Arakida, H. Taniguchi, K. Nishidate, S. Aisawa, A. Matsushita, L. Shiqi
    • Journal Title

      J Mater Sci: Mater Electron

      Volume: 34 Pages: 281-1-10

    • DOI

      10.1007/s10854-022-09542-6

  • [Presentation] 放電プラズマ焼結法によるLa1-xYxMO3 (M = Mn,Fe)の合成と物性評価2023

    • Author(s)
      川原田尚久, 谷口晴香, 小林翔真, 上野健斗, 西館数芽, 松川倫明
    • Organizer
      日本物理学会春季大会 2023年
  • [Presentation] ダブルペロブスカイト表面における水のダイナミクス2023

    • Author(s)
      西館数芽, 佐藤創, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行, 長谷川正之
    • Organizer
      日本物理学会春季大会 2023年
  • [Presentation] ペロブスカイト酸化物Ba(Bi,Sb)O3の合成と物性評価2022

    • Author(s)
      米内孝徳, Dayal Chandra Roy, 荒木田南実, 松川倫明, 谷口晴香, 西館数芽, 松下明行, Zhang Kun
    • Organizer
      日本物理学会秋季大会 2022年
  • [Presentation] 放電プラズマ焼結法によるダブルペロブスカイト酸化物の合成2022

    • Author(s)
      谷口晴香, 川原田尚久, 西館数芽, 松川倫明
    • Organizer
      日本物理学会秋季大会 2022年
  • [Presentation] ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6の第一原理分子動力学計算2022

    • Author(s)
      佐藤創, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行A, 長谷川正之, 西館数芽
    • Organizer
      日本物理学会秋季大会 2022年
  • [Presentation] ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6の仕事関数とバンドギャップ:第一原理計算2022

    • Author(s)
      西館数芽, 佐藤創, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行, 長谷川正之
    • Organizer
      日本物理学会秋季大会 2022年

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Published: 2023-12-25  

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