2023 Fiscal Year Annual Research Report
金属/絶縁体相転移界面におけるフォノン散乱挙動の解明
Project/Area Number |
21K14092
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Research Institution | Nagaoka University of Technology |
Principal Investigator |
馬場 将亮 長岡技術科学大学, 工学研究科, 助教 (10826176)
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Project Period (FY) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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Keywords | 金属―絶縁体相転移材料 |
Outline of Annual Research Achievements |
本研究の目的は,金属/絶縁体界面におけるフォノン散乱挙動の解明である.金属/絶縁体界面をつくる手法としては,二酸化バナジウム(VO2)とタングステンドープしたVO2(W-VO2)を用いる.VO2は室温付近で可逆的な相転移をする材料であり,相転移温度以下では絶縁体(単斜晶),相転移温度以上では金属(正方晶)となる.また,VO2にWをドープすると相転移温度が低下する.VO2とW-VO2の積層体(VO2/W-VO2)では,両材料の異なる相転移温度に起因して,ある温度範囲において積層界面が金属/絶縁体界面となる.金属/絶縁体界面でフォノン散乱が起きるとすると,この温度範囲において素子の熱抵抗が増加し,熱が流れづらくなる.つまり,ある温度範囲だけ高い熱抵抗を示す素子が作製できる.本技術が確立すれば,熱レギュレータ(温度を一定に保つ素子),熱ダイオード(熱流を整流する素子)を設計できる. 本研究では,RFマグネトロンスパッタリングを用いてVO2/W-VO2積層体および各材料の単層素子の作製を行った.スパッタリング法によりアモロファスのVO2膜を成膜し,熱処理により結晶化させることで素子を作製している.この熱処理が膜の電気物性,組成に与える影響を評価し,単相性が高く,相転移に伴う抵抗変化が大きな膜を作製できる条件を確立した.その後,積層素子を作製し,金属/絶縁体界面があると熱抵抗が増加することを確認した.さらに,最終年度では各温度で光の反射率,透過率を測定し,光物性の変化からVO2膜の相転移の有無を調べる方法を確立した.これらの研究を通して金属/絶縁体界面におけるフォノン散乱挙動の解明に資する成果を得た.
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