2023 Fiscal Year Research-status Report
A study on fan-in/fan-out augmentation of neuron circuits using a novel device
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21K14216
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| Research Institution | Kanazawa Institute of Technology |
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Principal Investigator |
森 貴之 金沢工業大学, 工学部, 講師 (70888031)
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2021-04-01 – 2026-03-31
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| Keywords | ニューロモルフィック / ニューロン回路 / スパイキングニューラルネットワーク / SOI MOSFET / steep slope transistor |
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| Outline of Annual Research Achievements |
2023年度は新規デバイスを用いたニューロン回路開発に向けて、前年度に引き続き新規構造デバイスである"PN-body tied SOI-FET"の実測評価、加えて"gate-controlled carrier-injection SOI-Tr"を提案し、その評価を行った。
"PN-body tied SOI-FET"は入力端子Source、Drain、Gate、Body(+Substrate)と、内部にサイリスタ構造を持つデバイスである。フローティングボディ効果によって入力された信号を電荷としてデバイス内(Gate下部)に蓄積させることができ、加えてサイリスタ構造によって引き起こされる正のフィードバックを用いることでニューロン回路に必要なスパイク信号を生成することができる。
"gate-controlled carrier-injection SOI-Tr"は"PN-body tied SOI-FET"をベースに発展させたデバイスで、Gate端子の位置を変更してBody部に配置し、キャリアの注入をGateでコントロールすることを目的としている。
"PN-body tied SOI-FET"の評価では、Body端子へ外部から抵抗素子を接続し電圧を印加することで、スパイク信号を生成するニューロン動作が行えることを確認した。抵抗値を変えることでスパイク周波数は変化し、これは外部抵抗の値の変化をスパイク周波数へ変換するエンコーダの機能に相当する。
"gate-controlled carrier-injection SOI-Tr"の評価では、Body端子にパルス信号を入れた際にニューロンモデルの一つであるLeaky Integrate and Fire動作が行えることを確認した。また、信号の増幅率についても検討し、のファンイン/ファンアウト増大に関する知見を得ることができた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
デバイス評価に関しては新しく"gate-controlled carrier-injection SOI-Tr"を提案することができ、計画以上に進展したと考える。ただし、回路に関しては評価の遅れが出ているため上記区分とした。
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| Strategy for Future Research Activity |
"PN-body tied SOI-FET"及び"gate-controlled carrier-injection SOI-Tr"の評価を進め、ファンイン/ファンアウト増大に向けたデバイスパラメータの最適化を行う。また、ニューロン回路の設計を行ったのでその評価を進める。
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| Causes of Carryover |
旅費の発生が無かったため残額が生じた。次年度使用額は試作チップ購入費用及び旅費への使用を予定している。
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