反強磁性体材料を基軸とした超高密度不揮発メモリデバイスの開拓

2021 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 21K18189
• Research Category: Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 斉藤 好昭 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (80393859)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 手束 展規 東北大学, 工学研究科, 准教授 (40323076) ; 池田 正二 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (90281865)
• Project Period (FY): 2021-07-09 – 2026-03-31

Summary of the Research Project

IT関連システムで不揮発性のデータ記録媒体として広く用いられている強磁性体メモリーの限界を超える高密度の新たなメモリーの可能性を切り拓くために、従来と原理が異なる反強磁性体の二層構造を有する新規デバイスの動作原理を実証して、その可能性を開拓して次世代デバイスの実現に挑戦する研究である。

Scientific Significance and Expected Research Achievements

本研究は、メモリーデバイスは強磁性体でしかできないという一般常識を破り、反強磁性体によってメモリデバイスを構築して、さらなる高密度化への発展を阻害していた漏れ磁場による素子間の干渉を解決して超高密度・超高速・低消費電力スピンメモリを実現しようとする、新概念の開拓と確立を目指すところが高く評価された。