2021 Fiscal Year Research-status Report
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21K18631
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| Research Institution | High Energy Accelerator Research Organization |
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Principal Investigator |
津野 総司 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (30451834)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田窪 洋介 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (50423124)
武田 彩希 宮崎大学, 工学部, 准教授 (40736667)
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| Project Period (FY) |
2021-07-09 – 2024-03-31
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| Keywords | 半導体検出器 / SEU |
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| Outline of Annual Research Achievements |
SRAMメモリの揮発性を検証するために、メモリを読み書きできる電子回路を設計し、マイコンで情報を制御できるシステムを構築した。電源投入後、情報をメモリに書き込み、一定時間、設定電圧を人為的に低く設定し、どこまで、情報が保持されるのか、検証した。この操作に基づき、情報が失われる状況時に、最もSEUが発生しやすい事を突き止めていく。
また、新規の半導体検出器の開発の全体的な方針を決定した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
昨今の半導体不足により、発注品の入荷が予測できないことが不安要因である。特に半導体プロセスは、学術界の相乗りの形で、プロセスを依頼するので、全体の進捗状況に左右される。この点は、今後も注視していかなければならない。
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| Strategy for Future Research Activity |
実際に、メモリチップに放射線源を照射し、SEUを観測する。特に、SEUが起こりやすい状況を人為的に作り出し、その発生確率を計測する。この結果が、最終的な新規の半導体検出器開発の最適化パラメーターとなる。
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| Causes of Carryover |
回路設計に時間を要したため、備品に必要となる計測類の調達ができなかった。また、代替品も見つかったため、当初、予定より安価に実験を進めることができた。
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