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2022 Fiscal Year Annual Research Report

Challenge to manipulate and control valley current for realization of valleytronics

Research Project

Project/Area Number 21K18865
Research InstitutionChiba University

Principal Investigator

青木 伸之  千葉大学, 大学院工学研究院, 教授 (60312930)

Project Period (FY) 2021-07-09 – 2023-03-31
Keywordsバレーホール効果 / 逆バレーホール効果 / 非局所電圧 / ベリー曲率 / 2次元物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / ゲート制御 / バレートロニクス
Outline of Annual Research Achievements

本研究は,2次元物質において発現が期待されるバレー流をゲート電圧によって制御することを目的として,遷移金属ダイカルコゲナイドの一種である単層のMoS2におけるバレーホール効果の発現と観測およびゲート制御の研究を進めた。バレーホール効果の観測には低温環境下での測定が必要であるため,低温でのオーミックコンタクトの実績のあるMoS2をチャネル材料としたn型のホールバー素子を作製し,逆バレーホール効果として発現する非局所電圧の特性評価を行ってきた。その結果,グローバルなバックゲート(素子全体に掛かるゲート構造)に対する動作では,キャリア密度の増加に従い非局所電圧がピーク構造を取ることが確認された。また,そのピーク構造は温度に対して変化し,2 Kでは単一のピークであるのに対して,20 K付近では2つのピークが現れることが明らかになった。このピークは,スピン・バレーロッキング現象と,伝導帯におけるK(K')バンドにおけるスピン軌道相互作用によるバレー・ゼーマン型のバンド分裂が原因と考えられ,それぞれのバンドがバレーホール効果を発現することで2つのピークが現れるといったメカニズムが考えられる。しかし低温においてはショットキー障壁によって下側のバンドに電子を注入することができないためにバレーホール効果が発現できず,ピークが1つとなっていると解釈される。これらの2つの電圧ピークにおいて抵抗率に対する3乗則が観測された。
一方で,バレー流の伝達経路に配置したローカルゲートに負電圧を印加すると,ゲート直下が次第に空乏化し,完全に空乏化するとバレー流の伝導も遮断され,非局所電圧が急激に減少することが確認された。これはバレー流の局所ゲート電圧制御を試みた初めての成果と考えられ,ゲートによってバレー流を電界効果によって遮断できること明らかにした。これらの結果は,バレートロニクスの実現に向けた第一歩であると考えている。

  • Research Products

    (27 results)

All 2023 2022 Other

All Int'l Joint Research (3 results) Journal Article (6 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results,  Peer Reviewed: 6 results,  Open Access: 1 results) Presentation (17 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results) Remarks (1 results)

  • [Int'l Joint Research] ニューヨーク州立大学バッファロー校/アリゾナ州立大学/北アリゾナ大学(米国)

    • Country Name
      U.S.A.
    • Counterpart Institution
      ニューヨーク州立大学バッファロー校/アリゾナ州立大学/北アリゾナ大学
  • [Int'l Joint Research] 成均館大学(韓国)

    • Country Name
      KOREA (REP. OF KOREA)
    • Counterpart Institution
      成均館大学
  • [Int'l Joint Research] 国立台湾大学/国立嘉儀大学/中興大学(その他の国・地域)

    • Country Name
      その他の国・地域
    • Counterpart Institution
      国立台湾大学/国立嘉儀大学/中興大学
    • # of Other Institutions
      1
  • [Journal Article] Enhancing optical characteristics of mediator-assisted wafer-scale MoS2 and WS2 on h-BN2023

    • Author(s)
      Chiu Sheng-Kuei, Li Ming-Chi, Ci Ji-Wei, Hung Yuan-Chih, Tsai Dung-Sheng, Chen Chien-Han, Lin Li-Hung, Watanabe Kenji, Taniguchi Takashi, Aoki Nobuyuki, Hsieh Ya-Ping, Chuang Chiashain
    • Journal Title

      Nanotechnology

      Volume: 34 Pages: 255703-1-9

    • DOI

      10.1088/1361-6528/acc5f1

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Signatures of hot carriers and hot phonons in the re-entrant metallic and semiconducting states of Moire-gapped graphene2023

    • Author(s)
      Nathawat Jubin, Mansaray Ishiaka, Sakanashi Kohei, Wada Naoto, Randle Michael D., Yin Shenchu, He Keke, Arabchigavkani Nargess, Dixit Ripudaman, Barut Bilal, Zhao Miao, Ramamoorthy Harihara, Somphonsane Ratchanok, Kim Gil-Ho, Watanabe Kenji, Taniguchi Takashi, Aoki Nobuyuki, Han Jong E., Bird Jonathan P.
    • Journal Title

      Nature Communications

      Volume: 14 Pages: 1507-1-11

    • DOI

      10.1038/s41467-023-37292-4

    • Peer Reviewed / Open Access / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] An investigation of the background potential in quantum constrictions using scanning gate microscopy and a swarming algorithm2023

    • Author(s)
      da Cunha C.R., Aoki N., Ferry D.K., Velasquez A., Zhang Y.
    • Journal Title

      Physica A: Statistical Mechanics and its Applications

      Volume: 614 Pages: 128550-128563

    • DOI

      10.1016/j.physa.2023.128550

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Enhanced Performance of WS2 Field‐Effect Transistor through Mono and Bilayer h‐BN Tunneling Contacts2022

    • Author(s)
      Phan Nhat Anh Nguyen, Noh Hamin, Kim Jihoon, Kim Yewon, Kim Hanul, Whang Dongmok, Aoki Nobuyuki, Watanabe Kenji, Taniguchi Takashi, Kim Gil‐Ho
    • Journal Title

      Small

      Volume: 18 Pages: 2105753-1-7

    • DOI

      10.1002/smll.202105753

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Enhanced contact properties of MoTe2-FET via laser-induced heavy doping2022

    • Author(s)
      Xie Tianshun、Fukuda Kazuki、Ke Mengnan、Kruger Peter、Ueno Keiji、Kim Gil-Ho、Aoki Nobuyuki
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 62 Pages: SC1010-1-6

    • DOI

      10.35848/1347-4065/aca67e

    • Peer Reviewed / Int'l Joint Research
  • [Journal Article] Solvated C70 single crystals for organic field effect transistors2022

    • Author(s)
      Mitake Yuji, Gomita Ayaka, Yamamoto Ryohei, Watanabe Miyabi, Suzuki Ryo, Aoki Nobuyuki, Tanimura Makoto, Hirai Tadahiko, Tachibana Masaru
    • Journal Title

      Chemical Physics Letters

      Volume: 807 Pages: 140094-1-7

    • DOI

      10.1016/j.cplett.2022.140094

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] TMDC-FET上への有機単分子膜形成によるp型ドーピングとコンタクト特性の評価2023

    • Author(s)
      堀場 大輔, 坂梨 昂平, 柯 梦南, 青木 伸之
    • Organizer
      第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会
  • [Presentation] Characteristics of slow traps in different interfacial layers of n-Ge gate stacks by plasma oxidation2023

    • Author(s)
      Mengnan Ke, Tsung-En Lee, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
    • Organizer
      第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会
  • [Presentation] Application of laser irradiation for multilayer MoTe2: phase transition, contact engineering and TFET fabrication2023

    • Author(s)
      Tianshun Xie, Mengnan Ke, Peter Kruger, Keiji Ueno, Gil-Ho Kim, Nobuyuki Aoki
    • Organizer
      The 64th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium
  • [Presentation] P-type doping and contact property control for WSe2-FET by charge transfer doping via self-assembled monolayer2023

    • Author(s)
      Daisuke Horiba, Takuya Kojima, Kohei Sakanashi, Mengnan Ke, Nobuyuki Aoki
    • Organizer
      The 64th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium
  • [Presentation] Reduction of Id-Vg hysteresis in SiO2/MoS2 n-FET by insertion of h-BN interfacial layer,2023

    • Author(s)
      Jiaquan Fengi, Tianshun Xie, Nobuyuki Aoki, Mengnan Ke
    • Organizer
      2023年第70回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] 単層MoS2におけるバレー流のスプリットゲート制御2023

    • Author(s)
      福田 和紀, 横井 和史, 高橋 慶, 渡邊 賢治, 谷口 尚, 柯 梦南, 青木 伸之
    • Organizer
      2023年第70回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] レーザー誘起ドーピング技術を用いた高性能TFETの作製2023

    • Author(s)
      謝 天順, 柯 梦南, 上野 啓司, 青木 伸之
    • Organizer
      2023年第70回応用物理学会学術講演会
  • [Presentation] Evalution of BKT phase transition in 2H-NbS2 flake2022

    • Author(s)
      Tianshun Xie, Kohei Sakanashi, Kazushi Yokoi, Keiji Ueno, Nobuyuki Aoki
    • Organizer
      29th International Conference on Low Temperature Physics (LT29)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electrical properties of the graphene/WSe2 short-channel device2022

    • Author(s)
      K. Yokoi, K. Sakanashi, G.-H. Kim, K. Watanabe, T. Taniguchi , and N. Aoki
    • Organizer
      29th International Conference on Low Temperature Physics (LT29)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] グラフェン/WSe2ヘテロ接合における磁気輸送特性評価II2022

    • Author(s)
      横井和史, 坂梨昂平, Gil-Ho Kim, 渡邊賢司, 谷口尚, 青木伸之
    • Organizer
      日本物理学会2022年秋季大会
  • [Presentation] 走査ゲート顕微法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ接合における輸送特性の評価2022

    • Author(s)
      酒井 歩峻,渡邊 賢治, 谷口 尚, 柯 夢南, 青木 伸之
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] MoTe2/n++-Siヘテロ構造を用いた縦型TFETの研究2022

    • Author(s)
      中村 宥雅, 柯 梦南, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 青木 伸之
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] レーザー誘起ドーピング技術を用いてp型MoTe2-TFETの実現2022

    • Author(s)
      謝 天順, 福田 和紀, 柯 梦南, 上野 啓司, 青木 伸之
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 有機単分子膜形成によるTMDC-FETへのドーピング効果の定量評価2022

    • Author(s)
      堀場 大輔, 坂梨 昂平, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 柯 梦南, 青木 伸之
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 単層WSe2におけるバレー流の観測とトップゲート制御2022

    • Author(s)
      福田 和紀, 横井 和史, 渡邊 賢治, 谷口 尚, 柯 梦南, 青木 伸之
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Realization of P-type MoTe2-TFET Via Laser-induced Doping Technique2022

    • Author(s)
      Tianshun Xie, Kazuki Fukuda, Mengnan Ke, Nobuyuki Aoki
    • Organizer
      2022 International Conferece on ssdm Solid State Devices and Materials
  • [Presentation] 遷移金属ダイカルコゲナイドのFET応用に向けたレーザー誘起現象の活用;p・nドーピング制御および構造多形制御を利用したトンネル型電界効果トランジスタの実現2022

    • Author(s)
      謝 天順, 柯 梦南, 青木 伸之
    • Organizer
      SEMICON JAPAN, ACADEMIA:1029
  • [Remarks] 千葉大学青木・柯グループ

    • URL

      https://adv.chiba-u.jp/nano/qnd/index.html

URL: 

Published: 2023-12-25  

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