相変化材料と酸化物の積層MIS接合を用いた大容量・低消費電力不揮発性メモリの実現

Products Report

• Project/Area Number: 21K20509
• Research Category: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: 0402:Nano/micro science, applied condensed matter physics, applied physics and engineering, and related fields
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: Hatayama Shogo 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 産総研特別研究員 (50910501)
• Project Period (FY): 2021-08-30 – 2023-03-31

Research Products

• [Patent(Industrial Property Rights)] アモルファス材料及びクロスポイント型メモリ (2024)
  • Inventor(s): 畑山祥吾、齊藤雄太、内田紀行
  • Industrial Property Rights Holder: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2023-556417
• [Patent(Industrial Property Rights)] アモルファス材料及びクロスポイント型メモリ (2024)
  • Inventor(s): 畑山 祥吾、齊藤 雄太、内田 紀行
  • Industrial Property Rights Holder: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特許第Ⅰ832515号
  • Overseas