2010 Fiscal Year Annual Research Report
省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生
| Project/Area Number |
22000011
|
|---|
| Research Institution | Nagoya University |
|---|
Principal Investigator |
財満 鎭明 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70158947)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田中 信夫 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
坂下 満男 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (30225792)
竹内 和歌奈 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (90569386)
竹中 充 東京大学, 工学系研究科, 准教授 (20451792)
|
|---|
| Keywords | ゲルマニウム / 錫 / CMOS / ひずみ / 結晶成長 / 高キャリア移動度 / 欠陥 / LSI |
|---|
| Research Abstract |
シリコン超超大規模集積化回路の持続的発展に向けたCMOSの電流駆動力向上に必須となる、高移動度チャネル技術創成のためのひずみゲルマニウム系新規材料開発およびその電子物性設計指針の構築を目指してる。本年度は、主に下記のような研究成果を得た。
(1)SiおよびGe基板上におけるGe_<1-x>Sn_x層の結晶成長を検証し、成長および熱処理中における歪緩和過程を解明するとともに、9.2%の高Sn組成Ge_<1-x>Sn_xエピタキシャル層の形成を実現した。
(2)Pr酸化膜/酸窒化Ge/Ge構造の界面化学結合状態および反応過程を詳細に調べた。急速酸化処理によって、立方晶Pr_2O_3中の酸素空孔や欠陥が終端される結果、リーク電流を効果的に抑制できることが明らかにな6た。
(3)ソース・ドレインストレッサとしてのp型ドープGe_<1-x>Sn_x層の形成を検証した。Ga in-situドーピングによって、Sn析出がなく、歪も維持したままでSn組成3.5%、2×10^<19>cm^3の高GaドープGe_<1-x>Sn_x層の形成を実証した。
(4)収束電子回折法で得られるHOLZ線図形およびナノビーム電子回折図形を用いた高精度歪み解析法を開発し、半導体多層膜試料の界面近傍数10nm領域の歪みの評価が可能となった。また、収束電子回折図形にみられるロッキングカーブプロファイルから歪み場再生する手法の開発を行い、積層欠陥のような不連続な変位場を含む解析を実現した。
(5)Al_2O_3堆積後にECRプラズマ酸化をすることで良好なAl_2O_3/GeO_2/Ge MOS界面の形成に成功した。また、本プロセス適用後、Ge基板のSiO_2/Si基板への貼合せによりGe-on-Insulator基板の貼合せ界面の特性向上に成功した。
|
-
-
[Journal Article] Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors2011
Author(s)
B.Vincent, Y.Shimura, S.Takeuchi, T.Nishimura, G.Eneman, A.Firrincieli, J.Demeulemeester, A.Vantomme, T.Clarysse, O.Nakatsuka, S.Zaima, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo
-
Journal Title
Microelectron.Eng.
Volume: 88
Pages: 342-346
Peer Reviewed
-
-
-
[Journal Article] Ge_<1-x>Sn_x stressors for strained-Ge CMOS2011
Author(s)
S.Takeuchi, Y.Shimura, T.Nishimura, B.Vincent, G.Eneman, T.Clarysse, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
-
Journal Title
Solid-State Electronics
Volume: 60
Pages: 53-57
Peer Reviewed
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] Assessment of Ge_<1-x>Sn_x Alloys for Strained Ge CMOS Devices2010
Author(s)
S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima
Organizer
218th ECS Meeting
Place of Presentation
Las Vegas, USA(招待講演)
Year and Date
20101010-15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] 歪Ge_<1-x>Sn_xへの高濃度不純物ドーピング2010
Author(s)
志村洋介, 竹内正太郎, Benjamin Vincent, Geert Eneman, Trudo Clarysse, Andre Vantomme, Johan Dekoster, Matty Caymax, Roger Loo, 中塚理, 財満鎭明
Organizer
第71回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
長崎大学(長崎県)
Year and Date
20100914-20100917
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] Ge_<1-x>Sn_x stressors for strained-Ge CMOS2010
Author(s)
S.Takeuchi, Y.Shimura, T.Nishimura, B.Vincent, G.Eneman, T.Clarysse, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
Organizer
5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
Place of Presentation
Stockholm, Sweden(招待講演)
Year and Date
20100524-20100526
-
-
[Presentation] Formation of Ni(Ge_<1-x>Sn_x) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge_<1-x>Sn_x/Ge Systems2010
Author(s)
T.Nishimura, Y.Shimura, S.Takeuchi, B.Vincent, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
Organizer
5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
Place of Presentation
Stockholm, Sweden
Year and Date
20100524-20100526
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] GeSn : future applications and strategy2010
Author(s)
R.Loo, M.Caymax, B.Vincent, J.Dekoster, S.Takeuchi, O.Nakatsuka, S.Zaima, K.Temst, A.Vantomme
Organizer
International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
Place of Presentation
Heverlee-Leuven, Belgium
Year and Date
2010-05-28
-
[Presentation] Material Assessment for uni-axial strained Ge pMOS-1 : Characterization of GeSn(B) materials2010
Author(s)
B.Vincent, Y.Shimura, S.Takeuchi, T.Nishimura, J.Demeulemeester, G.Eneman, T.Clarysse, W.Vandervorst, A.Vantomme, O.Nakatsuka, S.Zaima, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo
Organizer
International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
Place of Presentation
Heverlee-Leuven, Belgium
Year and Date
2010-05-28
-
[Presentation] Material Assessment for uni-axial strained Ge pMOS-2 : Formation of Ni(GeSn) Layers with Solid-Phase Reactor2010
Author(s)
T.Nishimura, Y.Shimura, S.Takeuchi, B.Vincent, A.Vantomme, J.Dekoster, M.Caymax, R.Loo, O.Nakatsuka, S.Zaima
Organizer
International Workshop of GeSn Developments and Future Applications
Place of Presentation
Heverlee-Leuven, Belgium
Year and Date
2010-05-28
-
-
-
