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2011 Fiscal Year Annual Research Report

省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

Research Project

Project/Area Number 22000011
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

財満 鎭明  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70158947)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 竹中 充  東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20451792)
坂下 満男  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (30225792)
田中 信夫  名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
竹内 和歌奈  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (90569386)
KeywordsCMOS / ゲルマニウム / スズ / 歪 / エピタキシャル成長
Research Abstract

シリコン超超大規模集積化回路の持続的発展に向けたCMOSの電流駆動力向上に必須となる、高移動度チャネル技術創成のためのひずみゲルマニウム系新規材料開発およびその電子物性設計指針の構築を目指している。平成23年度を中心に得られた主な成果を下記に記す。
(1)InP基板の使用と低温成長によって、従来の固溶限界を10倍以上超える最大27%と高いSn組成を有するGe1-xSnx層の形成に成功した。直接遷移型挟ギャップGe1-xSnx層として、高電子移動度チャネル、光学デバイス応用に期待できる。(2)SOI基板上に形成したGe1-xSnx層への400℃の低温熱処理により、モザイシティのない高結晶品質を有するGe1-x-ySixSny層の形成に成功した。(3)0.1%程度のSn導入と水素雰囲気中熱処理によって、低温成長したGeエピタキシャル層中の正孔濃度が1E16cm-3台と評価され、Snを導入しない非熱処理の場合と比較して、意図しない正孔の生成密度2桁低減することに成功した。(4)通常のSOI上での酸化濃縮結果と比較して、歪SOI基板を用いて酸化濃縮によって形成したGe-on-Insulator層は、得られる最大歪量が増大することがわかった。酸化濃縮で作製した歪SiGe-on-Insulator基板を用いたpMOSFETにおいて、より大きな残留歪を有するSiGe層の形成に成功し、歪SOI基板に比較して最大7倍程度の正孔向上率を実現した。(5)ナノビーム電子回折法を用いた高精度歪み解析法を開発した。電子顕微鏡レンズの歪みを考慮して高次ラウエ帯反射を使うことにより、入射方向に垂直な格子面間隔をHOLZ線解析と同程度の精度で計測でき、界面近傍の格子歪みの高精度計測が可能となった。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

当初計画である高Sn組成GeSnの形成やキャリア物性評価、またナノ領域のひずみ評価は順調に進行している。最終目標であるキャリア移動度向上の実証に向けた各種プロセス技術の構築も順調に進められた。

Strategy for Future Research Activity

MOSFETのキャリ移動度向上の実証に向けたキャリア移動度評価などを推進する。また、デバイス特性改善に向けた結晶欠陥密度の低減技術やキャリア密度制御、MOS界面構造制御になどに関するプロセス、材料開発を推進する。

  • Research Products

    (64 results)

All 2012 2011 Other

All Journal Article (23 results) (of which Peer Reviewed: 19 results) Presentation (39 results) (of which Invited: 3 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Growth of Ge_<1-x>Sn_x heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates2012

    • Author(s)
      M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 520 Pages: 3201-3205

    • DOI

      DOI:10.1016/j.tsf.2011.10.153

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明2012

    • Author(s)
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      信学技報

      Volume: 112 Pages: 27-32

  • [Journal Article] ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響2012

    • Author(s)
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      信学技報

      Volume: 112 Pages: 37-42

  • [Journal Article] High-mobility Ge pMOSFET with 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge gate stack fabricated by plasma post oxidation2012

    • Author(s)
      R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Journal Title

      IEEE Trans. Electron Devices

      Volume: 59 Pages: 335-341

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation2012

    • Author(s)
      Kusumandari, W.Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 51 Pages: 01AJ01, 5pages

    • DOI

      10.1143/JJAP.51.01AJ01

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] In-situ Ga doping of fully strained Ge1-xSnx heteroepitaxial layers grown on Ge(001) substrates2012

    • Author(s)
      Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D.H. Petersen, and S. Zaima
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 520 Pages: 3206-3210

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2011.10.084

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] ラジカルプロセスによるAl2O3/Ge界面特性の改善2012

    • Author(s)
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第17回研究会)

      Volume: なし Pages: 125-128

  • [Journal Article] Al2O3/Ge に対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果2012

    • Author(s)
      柴山 茂久, 加藤 公彦, 坂下 満男, 竹内 和歌奈, 中塚 理, 財満 鎭明
    • Journal Title

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第17回研究会)

      Volume: なし Pages: 129-132

  • [Journal Article] Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors2011

    • Author(s)
      B. Vincent, Y. Shimura, S. Takeuchi, T. Nishimura, G. Eneman, A. Firrincieli, J. Demeulemeester, A. Vantomme, T. Clarysse, O. Nakatsuka, S. Zaima, J. Dekoster, M. Caymax, and R. Loo
    • Journal Title

      Microelectron. Eng.

      Volume: 88 Pages: 342-346

    • DOI

      10.1016/j.mee.2010.10.025

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Crystalline orientation dependence of electrical properties of Mn Germanide/Ge(1 1 1) and (0 0 1) Schottky contacts2011

    • Author(s)
      T. Nishimura, O. Nakatsuka, S. Akimoto, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • Journal Title

      Microelectron. Eng.

      Volume: 88 Pages: 605-609

    • DOI

      10.1016/j.mee.2010.08.014

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Formation of Ni(Ge1-xSnx) Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ge1-xSnx/Ge Systems2011

    • Author(s)
      T. Nishimura, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Solid-State Electronics

      Volume: 60 Pages: 46-52

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.025

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ge1-xSnx stressors for strained-Ge CMOS2011

    • Author(s)
      S. Takeuchi, Y. Shimura, T. Nishimura, B. Vincent, G. Eneman, T. Clarysse, A. Vantomme, J. Dekoster, M. Caymax, R. Loo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Solid-State Electronics

      Volume: 60 Pages: 53-57

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.022

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen2011

    • Author(s)
      K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Solid-State Electronics

      Volume: 60 Pages: 70-74

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.029

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Control of Strain Relaxation Behavior of Ge1-xSnx Layers2011

    • Author(s)
      Y. Shimura, S. Takeuchi, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima
    • Journal Title

      Solid-State Electronics

      Volume: 60 Pages: 84-88

    • DOI

      10.1016/j.sse.2011.01.023

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure2011

    • Author(s)
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 50 Pages: 04DA17, 7pages

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.04DA17

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy2011

    • Author(s)
      M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 50 Pages: 04DA08, 4pages

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.04DA08

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Molecular beam deposition of Al2O3 on p-Ge(001)/Ge0.95Sn0.05 heterostructure and impact of a Ge-cap interfacial layer2011

    • Author(s)
      C. Merckling, X. Sun, Y. Shimura, A. Franquet, B. Vincent, S. Takeuchi, W. Vandervorst, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, and M. Caymax
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 98 Pages: 192110, 3pages

    • DOI

      10.1063/1.3589992

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Control of Interfacial Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure using Radical Nitridation Technique2011

    • Author(s)
      K. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 50 Pages: 10PE02, 7pages

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.10PE02

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications2011

    • Author(s)
      S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo
    • Journal Title

      ECS Trans.

      Volume: 41 Pages: 231-238

    • DOI

      10.1149/1.3633303

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Atomic arrangement at the 3C-SiC/Si(001) interface revealed utilizing aberration-corrected transmission electron microscope2011

    • Author(s)
      S. Inamoto, J. Yamasaki, H. Tamaki, and N. Tanaka
    • Journal Title

      Philosophical Magazine Letters

      Volume: 91 Pages: 632-639

    • DOI

      10.1080/09500839.2011.600730

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Highly strained-SiGe-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effective transistors fabricated by applying Ge condensation technique to strained-Si-on-insulator substrates2011

    • Author(s)
      J. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 99 Pages: 142108, 3pages

    • DOI

      10.1063/1.3647631

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Suppression of ALD-induced degradation of Ge MOS interface properties by low power plasma nitridation of GeO22011

    • Author(s)
      R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Journal Title

      J. Electrochem. Soc.

      Volume: 158 Pages: G178-G184

    • DOI

      10.1149/1.3599065

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Impact of GeOx interfacial layer thickness on Al2O3/Ge MOS interface properties2011

    • Author(s)
      R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
    • Journal Title

      Microelecton. Engineering

      Volume: 88 Pages: 1533-1536

    • DOI

      10.1016/j.mee.2011.03.130

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 金属電極がPr酸化膜/Ge構造の化学結合状態に与える影響2012

    • Author(s)
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構2012

    • Author(s)
      柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] Al2O3/Ge構造へのN-O混合ラジカル処理による界面反応と電気的特性の制御2012

    • Author(s)
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] Al2O3/Ge構造へのN-O混合ラジカル処理による界面反応と電気的特性の制御 Si(110)基板上におけるGeおよびGe1-xSnxヘテロエピタキシャル成長2012

    • Author(s)
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明 木戸脇翔平,浅野孝典,志村洋介,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] ヘテロエピタキシャルGe1-xSnx中のGa活性化に及ぼすSnの効果2012

    • Author(s)
      志村洋介, 中塚理, B. Vincent, G. Federica, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, A. Jensen, D. Petersen, 財満鎭明
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] 超高Sn組成Ge1-xSnx層の光学特性評価2012

    • Author(s)
      中村茉里香,志村洋介,竹内和歌菜,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with ~1nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks2012

    • Author(s)
      張睿、田岡紀之、黄博勤、竹中充、高木信一
    • Organizer
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120315-20120318
  • [Presentation] Effect of N Radical Process on Interfacial and Electrical Properties of Al2O3/Ge Structure2012

    • Author(s)
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      The 5th International Conference on PLasma-NanoTechnology & Science (IC-PLANTZ2012)
    • Place of Presentation
      Inuyama, Japan
    • Year and Date
      20120309-20120310
  • [Presentation] The effect of light exposure on the electrical properties of GeO2/Ge gate stack2012

    • Author(s)
      Kusumandari, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2012)
    • Place of Presentation
      Kasugai, Japan
    • Year and Date
      20120304-20120308
  • [Presentation] ラジカルプロセスによるAl2O3/Ge界面特性の改善2012

    • Author(s)
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回研究会)
    • Place of Presentation
      三島
    • Year and Date
      20120120-20120121
  • [Presentation] Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果2012

    • Author(s)
      柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回研究会)
    • Place of Presentation
      三島
    • Year and Date
      20120120-20120121
  • [Presentation] Materials Innovation in Si Nanoelectronics2011

    • Author(s)
      S. Zaima and O. Nakatsuka
    • Organizer
      2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium (TNS'11)
    • Place of Presentation
      Tsukuba, Japan
    • Year and Date
      20111215-20111217
    • Invited
  • [Presentation] 1-nm-thick EOT high mobility Ge n- and p-MOSFETs with ultrathin GeOx/Ge MOS interfaces fabricated by plasma post oxidation2011

    • Author(s)
      R. Zhang, N. Taoka, P. Huang, M. Takenaka, S. Takagi
    • Organizer
      International Electron Devices Meeting (IEDM2011)
    • Place of Presentation
      Washington D.C., USA
    • Year and Date
      20111205-20111207
  • [Presentation] Effect of Chemical Bonding State on Electrical Properties of Al2O3/Ge Structure2011

    • Author(s)
      K. Kato, M Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      The 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20111108-20111111
  • [Presentation] Suppressive Effect of Interface Reaction and Water Absorption by Al Incorporation into Pr-oxide Film2011

    • Author(s)
      W. Takeuchi, K. Furuta, K. Kato, M. Sakashita, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      The 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20111108-20111111
  • [Presentation] GeSn Technology: Impact of Sn on Ge CMOS Applications2011

    • Author(s)
      S. Zaima, O. Nakatsuka, Y. Shimura, S. Takeuchi, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, J. Demeulemeester, K. Temst, A. Vantomme, M. Caymax, and R. Loo
    • Organizer
      220th Electro Chemical Society Meeting
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      20111009-20111014
    • Invited
  • [Presentation] Control of Defect Properties in Ge Heteroepitaxial Layers by Sn Incorporation and H2-Annealing2011

    • Author(s)
      M. Adachi, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011)
    • Place of Presentation
      Nagoya, Japan
    • Year and Date
      20110928-20110930
  • [Presentation] ラジカル窒化法によるAl2O3/Ge構造の界面特性改善2011

    • Author(s)
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20110829-20110902
  • [Presentation] Sn添加および水素熱処理がGeエピタキシャル層中の欠陥に与える影響2011

    • Author(s)
      足立正樹,志村洋介,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20110829-20110902
  • [Presentation] プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs2011

    • Author(s)
      張睿、田岡紀之、岩崎敬志、竹中充、高木信一
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20110829-20110902
  • [Presentation] Mobility enhancement of strained-SGOI p-channel MOSFETs by applying Ge condensation technique to strained-SOI substrates2011

    • Author(s)
      徐準教、中根了昌、田岡紀之、竹中充、高木信一
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形
    • Year and Date
      20110829-20110902
  • [Presentation] Growth of Ge1-xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates2011

    • Author(s)
      M. Nakamura, Y. Shimura, S. Takeuchi , O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • Place of Presentation
      Leuven, Belgium
    • Year and Date
      20110828-20110901
  • [Presentation] In-situ Ga Doping to Fully Strained Ge1-xSnx Heteroepitaxial Layers Grown on Ge(001) Substrates2011

    • Author(s)
      Y. Shimura, S. Takeuchi, O. Nakatsuka, B. Vincent, F. Gencarelli, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. Caymax, R. Loo, and S. Zaima
    • Organizer
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • Place of Presentation
      Leuven, Belgium
    • Year and Date
      20110828-20110901
  • [Presentation] Low Temperature Formation of Si1-x-yGexSny-on-Insulator Structures by Using Solid-Phase Mixing of Ge1-zSnz/Si-on-Insulator Substrates2011

    • Author(s)
      K. Mochizuki, T. Yamaha, Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • Place of Presentation
      Leuven, Belgium
    • Year and Date
      20110828-20110901
  • [Presentation] Improvement of Al2O3 Interfacial Properties by O2 Annealing2011

    • Author(s)
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures
    • Place of Presentation
      Leuven, Belgium
    • Year and Date
      20110828-20110901
  • [Presentation] Epitaxial Growth of Ge1-xSnx for Strained Ge CMOS Devices2011

    • Author(s)
      S. Zaima, Y. Shimura, S. Takeuchi, and O. Nakatsuka
    • Organizer
      THERMEC' 2011 (International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials
    • Place of Presentation
      Quebec, Canada
    • Year and Date
      20110801-20110805
  • [Presentation] Impact of GeOx interfacial layer thickness of Al2O3/Ge MOS interface Properties2011

    • Author(s)
      R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    • Organizer
      17th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS' 11)
    • Place of Presentation
      Grenoble, France
    • Year and Date
      20110621-20110624
  • [Presentation] Highly-strained SGOI p-channel MOSFETs fabricated by applying Ge condensation technique to strained-SOI substrates2011

    • Author(s)
      J. Suh, R. Nakane, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Organizer
      Device Research Conference (DRC 2011)
    • Place of Presentation
      Santa Barbara, USA
    • Year and Date
      20110620-20110622
  • [Presentation] High mobility Ge pMOSFETs with ~ 1nm thin EOT using Al2O3/GeOx/Ge Gate Stacks fabricated by plasma post oxidation2011

    • Author(s)
      R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka and S. Takagi
    • Organizer
      VLSI Symposium., 4A-1, , June 2011
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20110614-20110616
  • [Presentation] MBE growth and crystalline properties of GeSn heteroepitaxial layers

    • Author(s)
      Y. Shimura, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      2nd GeSnWorkshop: GeSn Development and Future Applications
    • Place of Presentation
      Leuven, Belgium
  • [Presentation] Electrical and optical properties of GeSn alloys

    • Author(s)
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, M. Adachi, M. Nakamura, and S. Zaima
    • Organizer
      2nd GeSnWorkshop: GeSn Development and Future Applications
    • Place of Presentation
      Leuven, Belgium
  • [Presentation] Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

    • Author(s)
      Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure クスマンダリ,竹内和歌奈,加藤公彦,柴山茂久,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

    • Author(s)
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御

    • Author(s)
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] Effects of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor

    • Author(s)
      Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure クスマンダリ,竹内和歌奈,加藤公彦,柴山茂久,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] InP基板上への超高Sn組成Ge1-xSnx層のヘテロエピタキシャル成長

    • Author(s)
      中村茉里香, 志村洋介, 竹内正太郎, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] Sn 添加および水素熱処理を用いたGeヘテロエピタキシャル層の電気伝導特性制御

    • Author(s)
      足立正樹, 志村洋介, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果

    • Author(s)
      Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果 柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      第11回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFET

    • Author(s)
      張睿、岩崎敬志、田岡紀之、竹中充、高木信一
    • Organizer
      応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第139回研究集会「VLSIシンポジウム特集 (先端CMOSデバイス・プロセス技術)」
    • Place of Presentation
      東京
    • Invited
  • [Remarks] 省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

    • URL

      http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nano_cmos/

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 多層膜構造体及びその形成方法2012

    • Inventor(s)
      中塚理、財満鎭明、望月健太、志村洋介
    • Industrial Property Rights Holder
      国立大学法人名古屋大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特許出願2011-115089
    • Filing Date
      2012-12-10

URL: 

Published: 2014-07-24  

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