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2012 Fiscal Year Annual Research Report

省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

Research Project

Project/Area Number 22000011
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

財満 鎭明  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70158947)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 竹中 充  東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20451792)
坂下 満男  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (30225792)
田中 信夫  名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (40126876)
竹内 和歌奈  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (90569386)
Project Period (FY) 2012-04-01 – 2014-03-31
KeywordsCMOS / ゲルマニウム / スズ / 歪 / エピタキシャル成長
Research Abstract

シリコン超超大規模集積化回路の持続的発展に向けたCMOSの電流駆動力向上に必須となる、高移動度チャネル技術創成のためのひずみゲルマニウム系新規材料開発およびその電子物性設計指針の構築を目指している。平成24年度に得られた主な成果を以下に記す。
(1)Si(110)上へのGeSn成長において、Snを含まないGe層のエピタキシャル成長に比較して、双晶欠陥の形成が抑制できることが明らかになった。高移動度GeSnチャネルの実用化が加速するものと期待できる。(2)p+-Ge/n-Ge基板界面における接合リーク電流を、p+-Ge層への数%のSn導入によって抑制できることが明らかになった。ソース・ドレイン領域のリーク電流低減が実現できる。(3)InP基板上に形成したSn組成10%のGeSnエピタキシャル層において、150℃の低温Sbドーピング成長を行った結果、固溶限界を超える5E19cm-3の高電子密度GeSn層の形成に成功した。(4)Ge基板上のPr酸化膜における化学結合状態を、その上層に成膜したゲート金属材料の還元性によって制御できることを実証した。(5)プラズマ後酸化を用いた作製したAl2O3/GeO2/Ge MOS界面を用いた高性能Ge pMOSFETの動作実証に成功した。また、プラズマ後酸化を用いて作製した貼り合わせGe-on-Insulator基板の貼り合わせ界面をC-V特性で評価することで、高品質界面の形成に成功していることを実証した。(5)ナノビーム電子回折法をもちいた格子歪み解析法の高精度化を行い、界面近傍10nm以内の領域で格子定数を0.02%の精度で決定する手法を開発した。また、超高圧電子顕微鏡をもちいた収束電子回折およびナノビーム電子回折による実デバイスに近い厚膜試料の歪み解析を行うための準備を完了した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

GeSn層の電子物性および従来のGe系材料に対する様々な優位性も明らかになってきた。また、GeSnのデバイス応用に向けた、結晶成長技術、ドーピング技術、MOS界面制御技術なども構築されてきた。さらに、ひずみGeおよびGeSn MOSFET特性の評価に向けたプロセス構築、ナノ界面におけるひずみ構造評価技術も構築され、最終年度に向けた準備状況が整った。

Strategy for Future Research Activity

これまでに開発したプロセス技術あるいは物性評価技術を統合して、ひずみGeあるいはGeSnチャネルを用いたMOSFETの構築を進め、キャリア物性を明らかにし、移動度向上の実証を目指す。

  • Research Products

    (74 results)

All 2013 2012 Other

All Journal Article (17 results) (of which Peer Reviewed: 12 results) Presentation (55 results) (of which Invited: 5 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures2013

    • Author(s)
      Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 52 Pages: 01AC04 6pages

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.01AC04

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure2013

    • Author(s)
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      J. Phys.: Conf. Ser.

      Volume: 417 Pages: 012001 6pages

    • DOI

      10.1088/1742-6596/417/1/012001

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Effect of gate metal on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure2013

    • Author(s)
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Solid-State Electron.

      Volume: 83 Pages: 56-60

    • DOI

      10.1016/j.sse.2013.01.029

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Development of epitaxial growth technology for Ge1-xSnx alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics2013

    • Author(s)
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, and S. Zaima
    • Journal Title

      Solid-State Electron.

      Volume: 83 Pages: 82-86

    • DOI

      10.1016/j.sse.2013.01.040

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明2013

    • Author(s)
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)

      Pages: 39-42

  • [Journal Article] テ トラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成2013

    • Author(s)
      吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)

      Pages: 39-42

  • [Journal Article] Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響2013

    • Author(s)
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      特別研究会 「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」(第18回研究会)

      Pages: 39-42

  • [Journal Article] High Mobility Ge p- and n-MOSFETs with 0.7 nm EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation2013

    • Author(s)
      R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Journal Title

      IEEE Trans. Electron Devices

      Volume: 60 Pages: 927-934

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Atomic layer-by-layer oxidation of Ge (100) and (111) surfaces by plasma post oxidation of Al2O3/Ge structures2013

    • Author(s)
      R. Zhang, P.-C. Huang, J.-C. Lin, M. Takenaka and S. Takagi
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 102 Pages: 081603 4pages

    • DOI

      10.1063/1.4794013

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content2012

    • Author(s)
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka
    • Journal Title

      ECS Trans.

      Volume: 50 Pages: 897-902

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明2012

    • Author(s)
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      信学技報

      Volume: 112 Pages: 27-32

  • [Journal Article] ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響2012

    • Author(s)
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Journal Title

      信学技報

      Volume: 112 Pages: 37-42

  • [Journal Article] Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation2012

    • Author(s)
      X. Jin, H. Nakahara, K. Saitoh, T. Saka, T. Ujihara, N. Tanaka, Y. Takeda
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth

      Volume: 353 Pages: 84 - 87

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.05.017

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Atomistic structure analysis of stacking faults and misfit dislocations at 3C-SiC/Si(001) interface by aberration-corrected transmission electron microscopy2012

    • Author(s)
      J. Yamasaki, S. Inamoto, Y. Nomura, H. Tamaki, and N. Tanaka
    • Journal Title

      Journal of Physics D: Applied Physics

      Volume: 45 Pages: 494002

    • DOI

      10.1088/0022-3727/45/49/494002

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during Sic Solution Growth2012

    • Author(s)
      S. Harada, K. Seki, Y. Yamamoto, C. Zhu, Y. Yamamoto, S. Arai, J. Yamasaki, N. Tanaka and T. Ujihara
    • Journal Title

      Crystal Growth & Design

      Volume: 12 Pages: 3209-3214

    • DOI

      10.1021/cg300360h

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] HOLZ線図形をもちいたSiGe/Si界面近傍の格子湾曲および伸張歪みの解析2012

    • Author(s)
      齋藤晃
    • Journal Title

      まてりあ

      Volume: 51 Pages: 371-378

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High-mobility Ge pMOSFET with 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge gate stack fabricated by plasma post oxidation2012

    • Author(s)
      R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Journal Title

      IEEE Trans. Electron Devices

      Volume: 59 Pages: 335-341

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] H2O分圧によるPr価数およびPr酸化膜の結晶構造制御2013

    • Author(s)
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係2013

    • Author(s)
      柴山茂久,加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与える基板面方位効果2013

    • Author(s)
      黒澤昌志,木戸脇翔平,浅野孝典,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル成長に与えるSn導入効果2013

    • Author(s)
      木戸脇翔平,浅野孝典,黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] 圧縮歪Ge1-xSnxエピタキシャル層の電気伝導特性2013

    • Author(s)
      浅野孝典,黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] 水中レーザーアニール法による多結晶Ge1-xSnx薄膜の低温形成2013

    • Author(s)
      黒澤昌志,田岡紀之,中塚理,池上浩,財満鎭明
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] 0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS2013

    • Author(s)
      張睿,林汝静,黄博勤,田岡紀之,竹中充,高木信一
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析2013

    • Author(s)
      張睿,黄博勤,林汝静,竹中充,高木信一
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] 原子層平坦GeOx/Ge界面によるGe MOSFETsの高電界領域移動度の向上2013

    • Author(s)
      張睿,黄博勤,林汝静,竹中充,高木信一
    • Organizer
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] A comparative study of metal germanide formation on Ge1-xSnx2013

    • Author(s)
      J. Demeulemeester, A. Schrauwen, K. Van Stiphout, O. Nakatsuka, M. Adachi, Y. Shimura, S. Zaima, C. M. Comrie, C. Detavernier, K. Temst, and A. Vantommea
    • Organizer
      Materials for Advanced Metallization
    • Place of Presentation
      Leuven, Belgium
    • Year and Date
      20130310-20130313
  • [Presentation] Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits2013

    • Author(s)
      N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20130222-20130223
    • Invited
  • [Presentation] Control of Interfacial Reactions in Al2O3/Ge Structures2013

    • Author(s)
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20130222-20130223
  • [Presentation] Low temperature crystallization of group-IV semiconductors induced by eutectic metals (Al, Sn)2013

    • Author(s)
      M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao, and S. Zaima
    • Organizer
      6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20130220-20130223
  • [Presentation] Defects introduced in germanium substrate by reactive ion etching2013

    • Author(s)
      Kusumandari, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • Organizer
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
    • Place of Presentation
      Nagoya, Japan
    • Year and Date
      20130128-20130201
  • [Presentation] Control of Al2O3/Ge interfacial structures by post oxidation technique using oxygen radical2013

    • Author(s)
      K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
    • Place of Presentation
      Nagoya, Japan
    • Year and Date
      20130128-20130201
  • [Presentation] Ge oxide growth by plasma oxidation of Ge substrates through Al2O3 Layers2013

    • Author(s)
      R. Zhang, J.-C. Lin, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Organizer
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
    • Place of Presentation
      Nagoya, Japan
    • Year and Date
      20130128-20130201
  • [Presentation] Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明2013

    • Author(s)
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─(第18回研究会)
    • Place of Presentation
      湯河原
    • Year and Date
      20130125-20130126
  • [Presentation] テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成2013

    • Author(s)
      吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─(第18回研究会)
    • Place of Presentation
      湯河原
    • Year and Date
      20130125-20130126
  • [Presentation] Pr酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響2013

    • Author(s)
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─(第18回研究会)
    • Place of Presentation
      湯河原
    • Year and Date
      20130125-20130126
  • [Presentation] Physical mechanism determining Ge p- and n-MOSFETs mobility in high ns region and mobility improvement by atomically flat GeOx/Ge interfaces2012

    • Author(s)
      R. Zhang, P.C. Huang, J.C. Lin, M. Takenaka, S. Takagi
    • Organizer
      International Electron Devices Meeting (IEDM’12)
    • Place of Presentation
      San Francisco, USA
    • Year and Date
      20121210-20121212
  • [Presentation] Growth and Optical Properties of Ge1-xSnx Alloy Thin Films with a High Sn Content2012

    • Author(s)
      S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Nakamura, W. Takeuchi, Y. Shimura, and N. Taoka
    • Organizer
      The PRiME 2012 Joint International (222nd) ECS Meeting
    • Place of Presentation
      Honolulu, USA
    • Year and Date
      20121008-20121012
    • Invited
  • [Presentation] Impedance Spectroscopy of GeSn/Ge Heterostructures by a Numerical Method2012

    • Author(s)
      B. Baert, O. Nakatsuka, S. Zaima, and N. Nguyen
    • Organizer
      The PRiME 2012 Joint International (222nd) ECS Meeting
    • Place of Presentation
      Honolulu, USA
    • Year and Date
      20121008-20121012
  • [Presentation] Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O32012

    • Author(s)
      R. Zhang, P. Huang, J. Lin, M. Takenaka, and S. Takagi
    • Organizer
      The PRiME 2012 Joint International (222nd) ECS Meeting
    • Place of Presentation
      Honolulu, USA
    • Year and Date
      20121008-20121012
  • [Presentation] High Mobility Poly-GeSn Layer Formed by Low Temperature Solid Phase Crystallization2012

    • Author(s)
      W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Fukutome, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20120925-20120927
  • [Presentation] Impact of Sn corporation on Epitaxial Growth of Ge Layers on Si(110) Substrates2012

    • Author(s)
      S. Kidowaki, T. Asano, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20120925-20120927
  • [Presentation] Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical2012

    • Author(s)
      K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012)
    • Place of Presentation
      Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20120925-20120927
  • [Presentation] Epitaxial Growth of Ge1-xSnx Layers on (110)-oriented Si and Ge Substrates2012

    • Author(s)
      T. Asano, S. Kidowaki, Y. Shimura, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • Place of Presentation
      Yokohama, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120928
  • [Presentation] In situ Sb doping in Ge1-xSnx Epitaxial Layers with High Sn Contents2012

    • Author(s)
      K. Hozaki, M. Nakamura, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • Place of Presentation
      Yokohama, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120928
  • [Presentation] Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate2012

    • Author(s)
      S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • Place of Presentation
      Yokohama, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120928
  • [Presentation] Importance of Si Bandbending at Zero Bias Condition for Schottky Barrier Height Control at Metal/Si Interfaces with Ultra-thin Al2O3 Layer2012

    • Author(s)
      H. Matsushita, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
    • Organizer
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • Place of Presentation
      Yokohama, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120928
  • [Presentation] Electrical Properties of Epitaxially Grown p+-Ge1-xSnx/n-Ge Diodes2012

    • Author(s)
      S. Asaba, J. Yokoi, H. Matsuhita, D. Yunsheng, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2012)
    • Place of Presentation
      Yokohama, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120928
  • [Presentation] エピタキシャル成長p+-Ge1-xSnx/n-Ge接合の電気的特性2012

    • Author(s)
      朝羽俊介,横井淳,Yunsheng Deng,田岡紀之,財満鎭明
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成2012

    • Author(s)
      吉田鉄兵,加藤公彦,柴山茂久,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120910-20120914
  • [Presentation] ゲート金属の還元性に基づくPr酸化膜/Ge界面反応制御2012

    • Author(s)
      加藤公彦,坂下満男,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120910-20120914
  • [Presentation] Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長2012

    • Author(s)
      黒澤昌志,田岡紀之,坂下満男,中塚理,宮尾正信,財満鎭明
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120910-20120914
  • [Presentation] 低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成2012

    • Author(s)
      竹内和歌奈,田岡紀之,黒澤昌志,福留誉司,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120910-20120914
  • [Presentation] Ge単結晶中の格子欠陥への熱処理雰囲気および他元素導入の影響2012

    • Author(s)
      福留誉司,竹内和歌奈,田岡紀之,坂下満男,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120910-20120914
  • [Presentation] 高Sn組成Ge1-xSnx層へのin situ Sbドーピング2012

    • Author(s)
      保崎航也,中村茉里香,志村洋介,竹内和歌奈,田岡紀之,中塚理,財満鎭明
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120910-20120914
  • [Presentation] 0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs2012

    • Author(s)
      張睿、林汝静、黄博勤、田岡紀之、竹中充、高木信一
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛
    • Year and Date
      20120910-20120914
  • [Presentation] Epitaxial Growth and Characterizations of Ge1-xSnx and Ge1-x-ySixSny Thin Layers for Nanoelectronic and Optoelectronic Applications2012

    • Author(s)
      O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, S. Zaima
    • Organizer
      University of Vigo and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • Place of Presentation
      Vigo, Spain
    • Year and Date
      20120904-20120906
  • [Presentation] Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures2012

    • Author(s)
      Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
    • Place of Presentation
      Naha, Japan
    • Year and Date
      20120627-20120629
  • [Presentation] Potential of GeSn Alloys for Application to Si Nanoelectronics2012

    • Author(s)
      S. Zaima, Y. Shimura, M. Nakamura, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka
    • Organizer
      2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
    • Place of Presentation
      Naha, Japan
    • Year and Date
      20120627-20120629
    • Invited
  • [Presentation] High mobility Ge pMOSFETs with 0.7 nm ultrathin EOT using HfO2/Al2O3/GeOx/Ge gate stacks fabricated by plasma post oxidation2012

    • Author(s)
      R. Zhang, P.-C. Huang, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
    • Organizer
      VLSI Symposium
    • Place of Presentation
      Honolulu, USA
    • Year and Date
      20120612-20120615
  • [Presentation] Effect of Gate Metal Electrode on Chemical Bonding State in Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure2012

    • Author(s)
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • Place of Presentation
      Barkeley, USA
    • Year and Date
      20120604-20120606
  • [Presentation] Optical Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers with Very High Sn Contents2012

    • Author(s)
      M. Nakamura, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
    • Organizer
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • Place of Presentation
      Barkeley, USA
    • Year and Date
      20120604-20120606
  • [Presentation] Material properties and applications of Ge1-xSnx alloys for Ge Nanoelectronics2012

    • Author(s)
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, and S. Zaima
    • Organizer
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • Place of Presentation
      Barkeley, USA
    • Year and Date
      20120604-20120606
    • Invited
  • [Presentation] Electrical Characterization of p-Ge1-xSnx/p-Ge and p-Ge1-xSnx/n-Ge Heterostructures by Numerical Simulation of Admittance Spectroscopy2012

    • Author(s)
      B. Baert, D. Y. N. Truonga, O. Nakatsuka, S. Zaima, and N. D. Nguyen
    • Organizer
      The 6th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012)
    • Place of Presentation
      Barkeley, USA
    • Year and Date
      20120604-20120606
  • [Presentation] Control of Interfacial and Electrical Properties of Metal/Pr-oxide/Ge Gate Stack Structures

    • Author(s)
      K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
    • Organizer
      CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • Place of Presentation
      Albany, USA
  • [Presentation] GeSn Alloy for Nanoelectronic and Optoelectronic Devices

    • Author(s)
      O. Nakatsuka, Y. Shimura, W. Takeuchi, N. Taoka and S. Zaima
    • Organizer
      CNSE and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar
    • Place of Presentation
      Albany, USA
  • [Presentation] Technology of Ge1-xSnx Thin Films for Future Si Nanoelectronics

    • Author(s)
      O. Nakatsuka and S. Zaima
    • Organizer
      The 6th Kentingan Physics Forum: International Conference on Physics and Its Applications (ICOPIA)
    • Place of Presentation
      Solo, Indonesia
    • Invited
  • [Presentation] Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

    • Author(s)
      柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響

    • Author(s)
      加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
    • Organizer
      電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
    • Place of Presentation
      名古屋
  • [Presentation] 次世代フレキシブルデバイス実現に向けた絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

    • Author(s)
      黒澤昌志, 田岡紀之、坂下満男、中塚理、宮尾正信、財満鎭明
    • Organizer
      第1回結晶工学未来塾(研究ポスター発表会)
    • Place of Presentation
      東京
  • [Presentation] Sn 誘起横方向成長法によるGe1-xSnx/SiO2構造の低温形成

    • Author(s)
      黒澤昌志, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理 宮尾正信 財満鎭明
    • Organizer
      第12回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • Place of Presentation
      東京
  • [Presentation] Ge結晶中の格子欠陥への水素及びSn導入の影響

    • Author(s)
      福留誉司、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
    • Organizer
      第12回日本表面科学会中部支部 学術講演会
    • Place of Presentation
      東京
  • [Remarks] 省電力/超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

    • URL

      http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nano_cmos/

  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体結晶、その製造方法、及び多層膜構造体2013

    • Inventor(s)
      黒澤昌志、田岡紀之、坂下満男、中塚理、財満鎭明
    • Industrial Property Rights Holder
      国立大学法人名古屋大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2013-24605
    • Filing Date
      2013-02-12

URL: 

Published: 2014-07-24  

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