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2011 Fiscal Year Annual Research Report

室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成

Research Project

Project/Area Number 22246037
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

秩父 重英  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 宗田 孝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90171371)
上殿 明良  筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 (20213374)
羽豆 耕治  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (30367057)
Keywords電子・電気材料 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 酸化亜鉛 / 微小共振器 / ポラリトンレーザー / 縮退四光波混合
Research Abstract

半導体中の励起子と微小共振器の光モードの強結合という、半導体レーザとは異なった原理によりコヒーレント光を得る「微小共振器結合励起子ポラリトンレーザ」を実現するため、下記項目を実行した。
(1)ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE):高真空型HWPSE装置を用い、水熱合成Zn極性ZnO基板上に、ZnOホモエピタキシャル層およびMg_xZn_<1-x>O薄膜(x=0.08,0.19)の成長を行った。薄膜成長時のスパッタレートの安定性向上を目的とし、自動マッチング装置の導入と、気相合成多結晶ターゲットよりも電流値を高くとれる水熱合成ZnOターゲットの開発および試験を基板メーカーと共に行った。その結果、安定した単結晶薄膜製膜が可能となった。
(2)誘電体分布ブラッグ反射鏡(DBR)の形成:ターゲットにSi、Zr、Hf等の金属を用いる「反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ(R-HWPS)」モードでSiO_2/ZrO_2等のDBRを形成すべく、上記ZnOエビ成長用とは別の高速製膜型R-HWPS装置の開発を行い、その動作確認を完了した。
(3)理論面からのアプローチ:MgZnO/ZnO量子井戸を組み込んだ構造のポラリトン分散計算を詰めるため、精密な反射率計測による振動子強度導出を定式化した。
(4)物理計測:DBRを透過して局所的強励起を可能とすべく、収束電子線の入射と発光の観測系の整備を行った。また、(3)の計算に必要な価電子帯の対称性オーダリングをはっきりさせるべく、縮退四光波混合法を用いたバルクZnOの評価を行った。その結果、気相合成でも水熱合成でも、無歪のバルクZnO結晶ではエネルギーの高い方からΓ_9-Γ_7-Γ_7のオーダリングであることを明らかにした。
(協力体制)研究分担者である上殿教授は陽電子消滅法を用いた点欠陥検出を行い、宗田教授はZnOの価電子帯オーダリングの縮退四光波混合実験とZnO/MgZnO系微小共振器における励起子ポラリトンの挙動計算を行った。羽豆助教は代表者と共にエピタキシャル成長を行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

「室温動作の可能性が最も高い酸化亜鉛(ZnO)系微小共振器を、研究代表者が提案し技術発展させてきた独自技術でありスパッタ法にして高品位半導体エピタキシャル成長が可能なヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法を用いて形成し、光励起や電流注入により励起子ポラリトンのボーズ・アインシュタイン縮退の観測を目指す」に対し、微小共振器の構成部品各々の製膜条件を定め終わった。平成24,25年度に最終目標に届きたい。

Strategy for Future Research Activity

p型ZnO、MgZnOの成長は技術的に困難であることから、平成22年度申請時の計画調書に記したとおり、p型側のDBRについては、今後はMg添加AlGaN系窒化物半導体共振器を主に検討することとする。また、共振器全体の透明性を高めるため、高純度化に注力する。

  • Research Products

    (21 results)

All 2012 2011

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (16 results)

  • [Journal Article] Defect characterization in Mg-doped GaN studied using a monoenergetic positron beam2012

    • Author(s)
      A.Uedono, S.Ishibashi, K.Tenjinbayashi, T.Tsutsui, K.Nakahara, D.Takamizu, S.F.Chichibu
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 111 Pages: 014508 1-6

    • DOI

      10.1063/1.3675516

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN2012

    • Author(s)
      T.Onuma, Y.Kagamitani, K.Hazu, T.Ishiguro, T.Fukuda, S.F.Chichibu
    • Journal Title

      Review of Scientific Instruments

      Volume: 83 Pages: 043905 1-7

    • DOI

      10.1063/1.3701368

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Collateral evidence for an excellent radiative performance of Al_xGa_<1-x>N alloy films of high AlN mole fractions2011

    • Author(s)
      S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, A.Uedono
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 99 Pages: 051902 1-3

    • DOI

      10.1063/1.3615681

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Spontaneous polarization and band gap bowing in Y_xAl_yGa_<1-x-y>N alloys lattice-matched to GaN2011

    • Author(s)
      K.Shimada, A.Zenpuku, K.Fujiwara, K.Hazu, S.F.Chichibu, M.Hata, H.Sazawa, T.Takada, T.Sota
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 100 Pages: 074114 1-5

    • DOI

      10.1063/1.3651154

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測2011

    • Author(s)
      秩父重英, 羽豆耕治
    • Journal Title

      マテリアルインテグレーション(特集)

      Volume: 24 Pages: 273-276

  • [Presentation] 単結晶酸化亜鉛薄膜へのN,Pイオン注入と熱処理効果2012

    • Author(s)
      藤本龍吾, 和田凉太, 小池一歩, 佐々誠彦, 矢野満明, 吉田謙一, 長町信治, 羽豆耕治, 秩父重英
    • Organizer
      日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会
    • Place of Presentation
      京都工芸繊維大学,京都府
    • Year and Date
      2012-03-24
  • [Presentation] ルチルおよびアナターゼTiO_2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価2012

    • Author(s)
      羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • Organizer
      2012年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      早稲田大学,東京都
    • Year and Date
      2012-03-17
  • [Presentation] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(2)-HVPE成長GaN基板(2)-2012

    • Author(s)
      石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英
    • Organizer
      2012年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      早稲田大学,東京都
    • Year and Date
      2012-03-17
  • [Presentation] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2012

    • Author(s)
      張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
    • Organizer
      2012年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      早稲田大学,東京都
    • Year and Date
      2012-03-16
  • [Presentation] 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価2012

    • Author(s)
      秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
    • Organizer
      2012年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      早稲田大学,東京都
    • Year and Date
      2012-03-16
  • [Presentation] Si添加Al_<0.6>Ga_<0.4>N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価2012

    • Author(s)
      羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英
    • Organizer
      2012年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      早稲田大学,東京都
    • Year and Date
      2012-03-16
  • [Presentation] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012

    • Author(s)
      秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 上殿明良
    • Organizer
      2012年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      早稲田大学,東京都(シンポジウム招待)(招待講演)
    • Year and Date
      2012-03-15
  • [Presentation] フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体の時間・空間分解カソードルミネッセンス計測2011

    • Author(s)
      秩父重英
    • Organizer
      多元系機能性材料研究会平成23年度年末講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学,愛媛県
    • Year and Date
      2011-12-10
  • [Presentation] 偏光反射スペクトル解析によるZnOの物性値の同定2011

    • Author(s)
      羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英
    • Organizer
      2011年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      山形大学,山形県
    • Year and Date
      2011-09-01
  • [Presentation] ウルツ鉱型Mg_xZn_<1-x>O混晶の弾性テンソル要素C_<13>、C_<33>に関する考察2011

    • Author(s)
      張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
    • Organizer
      2011年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      山形大学,山形県
    • Year and Date
      2011-09-01
  • [Presentation] AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について2011

    • Author(s)
      秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
    • Organizer
      2011年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      山形大学,山形県
    • Year and Date
      2011-08-31
  • [Presentation] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO_2薄膜の堆積(4)2011

    • Author(s)
      羽豆耕治, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • Organizer
      2011年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      山形大学,山形県
    • Year and Date
      2011-08-31
  • [Presentation] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO_2:Nb薄膜の結晶相選択成長(2)2011

    • Author(s)
      羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • Organizer
      2011年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      山形大学,山形県
    • Year and Date
      2011-08-31
  • [Presentation] GaNと格子整合するY_xAl_yGa_<1-x-y>Nの自発分極とバンドギャップボーイングの第一原理計算2011

    • Author(s)
      島田和宏, 羽豆耕治, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之
    • Organizer
      2011年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      山形大学,山形県
    • Year and Date
      2011-08-30
  • [Presentation] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011

    • Author(s)
      S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
    • Organizer
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • Place of Presentation
      Glasgow, UK
    • Year and Date
      2011-07-12
  • [Presentation] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011

    • Author(s)
      S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
    • Organizer
      European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting
    • Place of Presentation
      Nice, France(招待)(招待講演)
    • Year and Date
      2011-05-11

URL: 

Published: 2013-06-26  

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