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2012 Fiscal Year Annual Research Report

室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成

Research Project

Project/Area Number 22246037
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

秩父 重英  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 宗田 孝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90171371)
上殿 明良  筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 教授 (20213374)
羽豆 耕治  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (30367057)
古澤 健太郎  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (40392104)
Project Period (FY) 2010-04-01 – 2014-03-31
Keywords電子・電気材料 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 酸化亜鉛 / 微小共振器 / ポラリトンレーザー / 縮退四光波混合
Research Abstract

半導体中の励起子と微小共振器の光モードを強結合させ、半導体レーザとは異なる原理によってコヒーレント光を得る「微小共振器結合励起子ポラリトンレーザ」を実現するため、以下の項目を実行した。すなわち、(1)ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(HWPSE):高真空型HWPSE装置を用い、水熱合成Zn極性ZnO基板上にZnOホモエピタキシャル層およびMgxZn1-xO/ZnOヘテロ構造の形成を行った。ターゲット電流の流れやすい水熱合成ZnOターゲットを用いることにより、薄膜堆積速度を従来の3倍程度速くすることができるようになった。(2)窒化物半導体多層膜のエピタキシャル形成:p型ZnOの成長は困難であるため、有機金属気相成長法を用いてAlGaN系DBRの形成を着手した。また、DBR構造の最適化計算を行った。(3)誘電体分布ブラッグ反射鏡(DBR)の形成:ターゲットにSi、Zr、Hf等の金属を用いる反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ(R-HWPS)モードにて、各膜厚をその場観測・制御しながらSiO2/ZrO2等のDBR形成を行う準備が整った。(4)ポラリトンに対するアプローチ:MgZnO/ZnO量子井戸を組み込んだ構造のポラリトン分散計算を詰めるため、精密な反射率計測による振動子強度導出を定式化した。また、特定の電磁波伝搬方向にて、規約表現Γ1励起子とΓ5励起子の混成モードが発生することが明らかになった。(5)物理計測:DBRを透過して局所的強励起を可能とするべく、集束電子線の入射系と発光観測系の整備がほぼ完了した。
(協力体制)研究分担者である上殿教授は陽電子消滅法を用いた点欠陥検出を行い、宗田教授はZnOの価電子帯オーダリングの縮退四光波混合実験とZnO/MgZnO系微小共振器における励起子ポラリトンの挙動計算を行った。羽豆助教は代表者と共にエピタキシャル成長を行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

室温動作の可能性が最も高い酸化亜鉛(ZnO)系微小共振器を、研究代表者が提案し独自に技術発展させてきた「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法」を用いて形成し、光励起や電流注入により励起子ポラリトンのボーズ・アインシュタイン縮退の観測を目指している。微小共振器の構成部品各々の製膜条件を定め終わり、良好な界面の形成も行う事が出来た。最終年度となる平成25年度には、共振器形成を行う。

Strategy for Future Research Activity

平成22年度申請時の計画調書に記したとおり、今年度はZnO系材料とAlGaN系DBR双方の検討を行った。最終年度は、誘電体DBRも含め、可能性のある励起子ポラリトン閉じ込め構造を形成する。

  • Research Products

    (18 results)

All 2013 2012 Other

All Journal Article (6 results) (of which Peer Reviewed: 6 results) Presentation (12 results) (of which Invited: 3 results)

  • [Journal Article] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2013

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, and A. Uedono
    • Journal Title

      Physica Status Solidi (c)

      Volume: 10 Pages: 501-506

    • DOI

      10.1002/pssc.201200676

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
    • Journal Title

      Electrochemical Society Transactions

      Volume: 50 Pages: 未定

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Valence-band-ordering of a strain-free bulk ZnO single crystal identified by four-wave-mixing spectroscopy technique2012

    • Author(s)
      K. Hazu, S. F. Chichibu, S. Adachi, and T. Sota
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: Vol.111,No.9 Pages: 093522 1-6

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Signatures of Γ1-Γ5 mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO2012

    • Author(s)
      A. Takagi, A. Nakamura, A. Yoshikaie, S. Yoshioka, S. Adachi, S. F. Chichibu, and T. Sota
    • Journal Title

      Journal of Physics: Condensed Matter

      Volume: 24 Pages: 415801 1-8

    • DOI

      10.1088/0953-8984/24/41/415801

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Structural, elastic, and polarization paremeters and band structures of wurtzite ZnO and MgO2012

    • Author(s)
      S. -H. Jang and S. F. Chichibu
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 112 Pages: 073503 1-6

    • DOI

      10.1063/1.4757023

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence2012

    • Author(s)
      Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and S. F. Chichibu
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 101 Pages: 212106 1-4

    • DOI

      10.1063/1.4767357

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys

    • Author(s)
      S. F. Chichibu and A. Uedono
    • Organizer
      The Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
    • Place of Presentation
      St. Petersburg, Russia
    • Invited
  • [Presentation] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
    • Organizer
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), ECS222nd
    • Place of Presentation
      Hawaii, USA
    • Invited
  • [Presentation] III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線

    • Author(s)
      秩父重英,上殿明良
    • Organizer
      応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第148回研究集会
    • Place of Presentation
      グランキューブ大阪(大阪国際会議場)
    • Invited
  • [Presentation] Band alignments and lateral transport properties of Nb-doped (100) rutile- and (001) anatase-TiO2 / (0001) GaN heteroepitaxial structures

    • Author(s)
      K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, and S. F. Chichibu
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
  • [Presentation] GaNと格子整合するScxAlyGa1-x-yNの自発分極と電子構造の第一原理計算

    • Author(s)
      島田和宏,秩父重英,秦雅彦,高田朋幸,佐沢洋幸,宗田孝之
    • Organizer
      2012年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      愛媛大学,愛媛県
  • [Presentation] ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定

    • Author(s)
      羽豆耕治,加賀谷宗仁,秩父重英
    • Organizer
      2012年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      愛媛大学,愛媛県
  • [Presentation] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
    • Organizer
      The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
    • Place of Presentation
      Santa Barbara, CA, USA
  • [Presentation] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique

    • Author(s)
      K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
  • [Presentation] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al0.6Ga0.4N epilayers grown on an AlN template

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
  • [Presentation] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価

    • Author(s)
      古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
    • Organizer
      2012年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      愛媛大学,愛媛県
  • [Presentation] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-

    • Author(s)
      秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
    • Organizer
      2012年秋季応用物理学会
    • Place of Presentation
      愛媛大学,愛媛県
  • [Presentation] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価

    • Author(s)
      石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
    • Organizer
      2013年春季応用物理学会
    • Place of Presentation
      神奈川工大,神奈川県

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Published: 2014-07-24  

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